图3.2InAs／AlSb HEMT 器件结构表3.1InAs／AlSb HEMT 外延结构图3-5-11明代比甲2.马褂马褂是一种穿于袍服外的短衣，因着之便于骑马而得名，也称“短褂”或“马墩子”，流行于清代及民国时期。图3.3器件ISE仿真结构图3.3构建的仿真器件，源漏间距1.8μm，栅长是350nm。

图3.10有碰撞电离模型的InAs／AlSbHEMT 输出特性曲线在图3.11中可以看到，从上到下，栅压VG从-0.5V 变化到-0.8V，输出特性曲线发生较大分离的点对应的源漏电压称为临界源漏电压Vds，c，图中看到，临界电压的值的值在逐渐减小。高电场区域或者高电子温度区域产生载流子，通过碰撞离化效应产生载流子倍增。从图3.12 可以看到，源端发生空穴堆积，这是碰撞离化产生空穴聚集到源端。图3-6-1冕冠图3.11临界源漏电压Vds，c随栅压的变化关系图3.12器件碰撞离化图

和传统的InAs／AlSbHEMT器件结构Ⅰ相比，区别是结构Ⅱ包含双δ面掺杂，器件包含两个势垒层和两个δ面掺杂层。图3.4InAs／AlSb HEMT 外延结构图3.5InAs／AlSb HEMT 结构Ⅱ的能带图图3.6是结构Ⅰ和结构Ⅱ仿真得到的InAs／AlSbHEMT 器件输出特性曲线。注意VP是器件夹断电压，对于同样的器件，夹断电压VP是不变的。图3.6结构Ⅰ和结构Ⅱ的InAs／AlSb HEMT 的JDS-VDS 关系曲线图3.7结构Ⅰ和结构Ⅱ转移特性曲线图3.8结构Ⅰ和结构Ⅱ的HEMT 器件跨导图3.9结构Ⅰ和结构Ⅱ的随频率的变化

InAs／AlSbHEMT 制作的低噪声放大器功耗在常温下低于1mW，在低温下器件性能提升，那么低噪声放大器的功耗会更低。InAs／AlSb HEMT 器件在低温情况下，由于声子散射的影响降低，使得电子迁移率提高，HEMT 器件电学性能提升。研究发现，InAs／AlSbHEMT器件非常适合低温下，低噪声放大器以及开关电路工作。本节内容就针对InAs／AlSbHEMT 器件在低温下的性能参数进行仿真和讨论。

所以高温情况下考虑声学波散射是影响二维电子气迁移率降低的主要散射结构。图3-6-17爵弁图3.13InAs／AlSb HEMT 各种散射机构与温度T 的关系从图3.13是InAs／AlSb量子阱中载流子在不同温度下各种散射机构的影响。温度在低于70K，载流子的迁移率主要由电离杂质散射和界面粗糙度散射决定，温度升高并大于70K 后，载流子迁移率主要受到声学波散射机制的影响，声学波散射受温度变化影响较大。