MOCVD工作原理简介
3)MOCVD技术的设备和气源材料价格昂贵,技术复杂。使用的各种气源,包括各种金属有机化合物以及氢化物都是剧毒气体,因而MOCVD具有一定的危险性。MOCVD生长系统要求有严格的气密性,以防止这些剧毒气体泄漏,同时避免系统被漏进的氧和水汽等污染。4)MOCVD的生长参数包括气体压力、气体流速、Ⅴ/Ⅲ气体比率、生长温度以及GaAs或Ge衬底的晶体取向等。
理论教育
2023-06-22