常规四探针单电测量法是将四根金属探针排成一条直线，如图1所示。下面将讨论不同情况下单电测量法的数据处理过程。图1常规单电测量法原理图半无穷大样品当四根探针同时压在半导体平整表面上，样品尺寸相对于探针间距s可视为半无穷大。因此，在这种情况下测得的电阻率值会高于或低于样品电阻率的真实值，需要对测量结果进行一定的修正。注意：本实验所用RTS-9型双电测四探针测试仪，可使用RTS-8控制软件对样品进行常规单电法测量。

光在介质薄膜上下表面的反射与折射如图1所示，当一束光线通过空气射入介质薄膜，就会在空气与薄膜界面以及薄膜与衬底界面处发生反射和折射。椭偏参量从上述公式可知，在λ， φ1，n1 和n3 确定的条件下， ψ 和Δ 只是薄膜厚度d 和折射率n2 的函数。也就是说，只要能够测量出ψ 和Δ，原则上就可以算出厚度d和折射率n2。下面简要介绍通过消光法确定ψ 和Δ 的基本原理。也就是说，同一组椭偏参量可能对应不同的厚度d 值。

图2双电测量法原理图将探针垂直压在被测样品表面上分别进行I14U23和I13U24两种模式测量，测量过程如下：进行I14U23组合测量：电流I从探针1→探针4，在探针2、3上测得电压U23+。计算百分变化率：上式中：Smax是最大百分变化；Saverage是平均百分变化； ρM、 ρm 分别为测量所得电阻率的最大值和最小值，单位为Ω·cm； ρc 为第1、2 点的测量平均值，单位为Ω·cm； ρa 为除第1、2 点外其余各点的测量平均值，单位为Ω·cm。