HVPE生长系统主要可以分为气体供给和控制系统,反应室,加热源和尾气排放系统。图1.5.6垂直式HVPE生长GaN示意图[21]MOCVD、MBE和HVPE氮化物外延生长技术各有优缺点,表1.5.1所示为这三种技术各自的优势和缺点。表1.5.1MOCVD、MBE和HVPE外延技术的优缺点图4.1.4拽（触电者）5）垫如果触电者躺在地上，可用木板等绝缘物插入触电者身下，以隔断电流。

垂直GaN基功率晶体管相对于横向结构发展较晚,目前仍处于起步阶段,主要包括垂直电流孔径晶体管和金属-氧化物-半导体晶体管两种类型。图4.2.9极性面和半极性面p型栅CAVETs结构示意图[34]2.垂直金属—氧化物—半导体晶体管另一种垂直GaN基晶体管是垂直MOSFET结构,目前主要有凹槽形和垂直鳍式两种结构形式。图4.2.10GaN基垂直凹槽形MOSFET的结构示意图[33,35]图4.2.10所示为垂直凹槽形MOSFET的结构示意图,由于此结构中没有AlGa N/GaN异质结,是一种常关型器件。