目前，1200V的BCD技术也已在仙童公司完成。除了硅基和SOI基功率集成技术不断发展外，GaN功率集成在近两年也受到国际关注。因此，高阻厚外延技术将成为碳化硅外延工艺的研发重点。

PIC一般使用BiCMOS或BCD工艺。目前已成为PIC制作的主流工艺技术。图8-21 高、低压兼容工艺的600V Bi CMOS芯片纵向结构剖面示意图2.BCD工艺采用BCD工艺可将双极模拟电路、CMOS逻辑电路和高压DMOS器件集成在同一块芯片上。目前，BCD工艺向高压、大功率、高密度三个方向分化发展。目前的发展重点是100V以下的BCD工艺，应用领域最为广泛，趋势是线宽更小，功耗更低及更智能化。图8-22 0.18μm BCD工艺集成的器件剖面示意图

为了减小器件的功率损耗，在实际使用中，可采用软开关技术，即通过改变电路结构来达到降低开关损耗的目的。下面对比说明硬开关和软开关技术的区别。图9-49 在软开关过程中的电流和电压及功耗的变化曲线可见，采用软开关技术，通过在电路中引入谐振，改善了主开关器件的开关条件，大大降低了硬开关电路的开关损耗和开关噪声问题。相比较而言，吸收电路比软开关技术更有发展前景。