确定匹配条件需要确定天线的输入阻抗的实部和虚部，换句话说，当R_antenna=R_c且X_antena=-Xc时达到匹配条件。因此研究式（2.75）中当两个条件实现其一时的反射系数Γ很有必要的。图2.52显示的是不同的电抗值和最佳值R_antenna=6.8Ω时的功率反射关系图。图2.53显示的是不同的阻抗值和恒定的电抗值X_antenna=86Ω时的功率反射关系图。

图2.52 功率反射与天线阻抗Z_ic=（6.8-j86）Ω以及各种天线的电抗确定：X_a=60W，X_a=75W，X_a=81W，X_a=86W

图2.53 功率反射与天线阻抗与Z_ic（6.8-j86）Ω以及各种的电抗确定：R_a=1W，R_a=3W，R_a=6.8W，R_a=20W(www.daowen.com)

在图2.52中，首先观察到当虚部完成匹配时，天线最佳阻抗R_antenna=6.8Ω的冗余度较大。当大致满足R_c/2<R_antenna<2R_c时，Γ小于-10dB。相反，图2.53表明，当实部完成匹配时，天线最优电抗冗余较小，为X_antenna=X_c=86Ω，指定Г仍低于-10dB，此时0.95X_c<X_antenna<1.05X_c。

得出的结论是，典型的RFID芯片的串联电抗比串联电阻大5～10倍，其虚部匹配是至关重要的。

可以注意到，当电抗无法匹配时，最好的设置为R_antenna>>6.8Ω，此时Г的衰减较弱（观察图2.53，当X_antenna<70Ω或X_antenna>100Ω时，曲线R_antenna=20Ω）。