如前面的章节所述，标签的综合分析依赖于以集中元件R_a、L_a和C_a的知识设计天线的能力。因此，用于对复杂天线几何形状进行建模的电路是有用的抽象方法，但是用这种方法从一个电路中总结出具体的几何概念是不容易的。至少，它超出了商业全波模拟器的能力。另一方面，在[XI 11]中被提及的设计方案是基于整个标签天线的输入阻抗（即天线本身加上匹配的网络）。根据图2.32，标签天线的阻力和电抗如下：

通过求R_in关于ω的一阶导数，可以发现在下式给出的频率下，R_in为最大：

与ω=ω_max相对应的R_in和X_in的值如下：

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使用这两个公式，可以进行计算。后续的设计步骤在[XI11]中提到：

（1）已知天线本体数据，根据式（2.63），L_h可以被调整，使得ω_max≈ω₀；

（2）根据式（2.64），R_{in_max}被确定；

（3）在式（2.65）中，L_e可以被调整，以使得X_{in_max}接近标签芯片电抗的共轭值；

（4）观测当ω=ω₀时，PTC在R_{in_max}和R_ic之间的快速计算显示的描述是否令人满意。如果不令人满意，天线本体数据应该被修改。注意标签天线的电抗和标签芯片的电抗抵消，得τ=4R_icR_in-max/（R_in-max+R_ic）²。