本节的重点是制造标签天线时所使用的材料的影响,比如线性铁圈和绝缘基底。首先,研究由这些参数和天线效率的影响带来的损失。其次,分析谐振频率和输入阻抗的去谐效应。
1.非导电损失的通用公式
在介电加热下的介质体积(V)中功耗如下:
式中,ξr和tanδ分别为相对介电常数和介电损耗角正切。由于介电损耗与tanδ成正相关关系,我们的结论是,损耗角正切值越大,越多的能量从电场转换为热量。这意味着,如果有一个有耗损介质材料在标签附近,标签将会失去在电介质中从阅读器接收功率的功能。我们期望看到标签天线性能的降低。有极性分子的材料,如水,特别是有高介电损失。然而,在目标含水情况下具有好的标签性能的挑战不仅是由于高介电损耗,还由于水高约81的相对介电常数。
由于欧姆传导在金属表面(S)的功耗定义如下:
式中,表示磁场的切面的元件;RS表示表面电阻,由下式给出:
我们的结论是,导通损耗与成正相关关系。在高频率的良好导体里,如超高频,电流密度是集中在靠近导体表面的区域。入射电场中,在导体表面以下的深度,电流密度下降,与1/e这个因素有关,被称为趋肤深度,用来表示。δ的值相当于2μm铜在900MHz的值。当导体的厚度等于或小于趋肤深度,表面电阻与导体厚度成反比,因此印制RFID天线的厚度小于趋肤深度将导致低效率。
2.介电损耗分析
效率分析是基于[CHO 07]提出的一个简单的弯折标签结构的运行情况的(见图2.18),它使用T-匹配网络来匹配安装在天线中心的商业标签芯片。
三种不同的,分别由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)(εr:3.9,tanδ:0.03,厚度:50μm)、Duroid(εr:2.2,tanδ:0.0009,厚度:127μm)、FR-4(εr:4.25,tanδ:0.02,厚度:1.6mm)制成的基底材料用于检验基底材料和厚度对标签天线的影响。一个给定的标签的天线尺寸的读取范围如图2.19所示。当天线的尺寸由于天线的辐射效率的下降而减少,读取范围也随之迅速减小。同样明显的是,使用高损耗基底FR-4会导致较低的天线效率和较短的读取范围。通过使用薄的基底,如PET,标签的读取范围可以大大增加,其值接近于低损耗和高成本的基板材料的值,如Duroid,此时的PET损耗相当于FR-4。图2.20显示了对于一个给定大小的天线的基底厚度与辐射效率的关系(kr=0.6)。正如预期的那样,作为基底,厚度增加,效率降低。对于薄基底(小于0.4mm),其损耗对辐射效率的影响与三种材料相比减少不低于80%。
最后,图2.21中绘制了天线效率,当标签贴在不同的介电材料(2mm厚)上时表现出不同的介电常数和损耗。显然,随着含标签物品介电常数和损耗角正切增加时,效率降低。这些结果表明,设计标签天线时含标签物品的电气特性是必须要考虑的。
图2.18 使用弯折标签天线的几何介电损耗研究
图2.19 读取距离与天线尺寸和基底
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图2.20 天线效率与基底的厚度和基底的关系
图2.21 相对于含标签物品的介电性能的天线效率
3.金属损失分析
由于铜和银电导率值分别为σ=5.8×107S/m和σ=1.6×106S/m,我们有希望降低银墨印制性能[NIK 05]。银墨印制和铜腐蚀的性能比较如图2.22所示。对于小尺寸天线,随着银墨的消耗,其读取范围会明显衰落(kr<0.5)。
接下来,检查由于电线厚度变化引起的性能变化,如图2.23所示。用铜金属线的PET基底印制天线,其厚度变化范围在0.1~0.5μm。铜线的厚度小于0.7μm时,读取范围迅速下降。当金属线厚度小于趋肤深度(在900MHz时铜的趋肤深度为0.7μm),导通金属线产生的损耗显著上升,而天线效率则大大降低。从这些结果中,可以看到金属线的厚度应大于可读的趋肤深度。
图2.22 读取范围相对于天线尺寸和金属线的导电性
图2.23 读取范围与金属线的粗细
4.天线失谐
为了说明含标签物品的介电材料的影响,图2.24所示的标签的读取范围是频率的函数,如图2.25所示,可读有效辐射功率ERP=2W[RAO05]。考虑三种配置情况:标签在自由空间中;标签在盒1中,盒1是一个空的纸板箱;标签在盒2中,盒2是一个内放有εr=2.87的塑料材料的纸板箱。当标签放在其中任意一个箱子中时,由于介质负载其读取范围会向下移动。然后,通过减少负载条和弯折来调谐标签,如图2.24所示。每一盒的调谐是不同的,其目的是移动读取范围峰值在868MHz频段。现在提出的标签设计已经满足了对于盒1和盒2两种情况下的希望的读取范围(>2m)均在868MHz和915MHz的频带的要求。
图2.24 使用加载弯折天线的RFID标签
图2.25 不同含标签物品的RFID标签范围与频率的变化
盒1—空纸箱 盒2—内有塑料材料(介电常数εr=2.87)的纸板箱
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