【摘要】：在一个RFID标签中，功耗更少意味着通信范围更广。所以，有必要减少数据消耗，这与功率消耗的重要组成部分一致。[KIM 12]其具体表示如下：Pdyn=0.5αCloadV2DDf 式中，α是交换活动；Cload是负载电容；VDD是偏置电压；f是模块频率。然而，在需要写入而不是读取标签的情况下所需功率为典型的10倍以上。如图1.29所示，FeRAM和EEPROM之间的比较显示，FeRAM在只写模式和只读模式中的消耗是EEPROM的一半。当使用NVM时，可以使性能得到更大程度的提升。图1.29 EEPROM和FeRAM之间性能的比较[NAK07]
在一个RFID标签中，功耗更少意味着通信范围更广。所以，有必要减少数据消耗，这与功率消耗的重要组成部分一致。通常，静态功耗远低于动态功耗。[KIM 12]其具体表示如下：
Pdyn=0.5αCloadV2DDf （1.24）
式中，α是交换活动（生成所有必需模块）；Cload是负载电容；VDD是偏置电压；f是模块频率（通常为2MHz）。
设计者不应该忘记限制阅读灵敏度的峰值数字功耗问题，一些作者[KIM12]使用自适应技术，以便当可用资源减少时，可以使用低功率。
传统的标签IC使用EEPROM作为可擦写的非易失存储器（NVM）。然而，在需要写入而不是读取标签的情况下所需功率为典型的10倍以上。在使用EEPROM（电荷泵发电机）的情况下，会导致写入范围的减小，通常为原来的80%。研究人员[NAK 07]使用FeRAM作为替代，以避免电荷泵，从而实现读写速度提升三倍。(www.daowen.com)
有一个改进是使用与标准CMOS工艺兼容的NVM技术[NAJ 10，KJM 12]，这也会大大降低功耗。
如图1.29所示，FeRAM和EEPROM之间的比较显示，FeRAM在只写模式和只读模式中的消耗是EEPROM的一半。当使用NVM时，可以使性能得到更大程度的提升。
图1.29 EEPROM和FeRAM之间性能的比较[NAK07]
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