25C080的系统结构如图10-8所示。

图10-8 25C080的系统结构框图

此框图内部结构比较复杂，但其控制信号却非常简洁，对于应用而言，掌握其控制信号用法即可，下面一一介绍。

●是外部的写保护引脚，当此引脚输入低电平时，EEPROM处于被保护状态，无法写入新数据。此引脚在EEPROM需要写入数据时必须为高电平。

●是外部的保持信号，当此引脚输入低电平时，EEPROM暂停工作，处于保持状态；当此引脚输入高电平时，芯片才能正常工作。

●是外部的片选信号，当为1时，EEPROM不工作；当为0时，可以进行数据收发。

●SCK、SI、SO分别是SPI接口的时钟信号、数据输入信号和数据输出信号。具体读/写控制就是通过SPI接口收发的指令字节和数据实现的。表10-2给出了25C080芯片的指令集列表。

表10-2 25C080芯片的EEPROM指令集列表

限于篇幅，本书只介绍几个基本指令的使用方法。

1.WREN指令

EEPROM包含一个写使能锁存器，要在EEPROM内部完成任何写操作，必先将此锁存器置位。WREN指令就是完成此功能的。其操作时序图如图10-9所示。当为0时，EEPROM通过SPI接口输入一个字节0x06，输入完毕变回1。

图10-9 写使能指令时序图(www.daowen.com)

WREN指令非常重要，在尝试向EEPROM写数据前，必须通过发出WREN指令将写使能锁存器置1，否则无法完成正确的写操作。

2.WRITE指令

当执行完一个正确的WREN指令时序后，用户即可通过将拉为低电平并发送一条WRITE指令以继续操作，随后发送地址（可能是多个字节）和要写入的数据。其写入时序图如图10-10所示。

图10-10 WRITE指令时序图

图10-10中的写入数据过程是当CS为0时，通过SPI接口依次输入0x02、地址的高8位、地址的低8位和数据字节。输入完毕变回1，然后要延时T_WC（典型写周期最大值是5ms）的时间以等待EEPROM内部完成写操作。

当EEPROM容量不同时，写入的地址字节个数也不同。例如，25LC080是8192×8bit的存储器，其地址是13位的，则写入地址用两个字节表示，若芯片的地址小于256，则写入地址用一个字节即可。写序列包括一个自动自定时的擦除周期。在发出写命令前，无需擦除存储器的任何部分。

3.READ指令

将信号拉为低电平可选择该器件。先将8位READ指令码0x03发送到EEPROM，然后发送要读取的地址（可能是多个字节），接下来存储器中指定地址处存储的数据将通过SO引脚在SCK的控制下移出。拉高引脚电平可终止读操作。有关字节读操作的时序信息参考图10-11。

图10-11 READ指令时序图

读完一个字节后，若继续提供时钟脉冲，则可按顺序读出存储器下一地址处存储的数据，即每个数据字节移出后，内部地址指针将自动递增至下一更高地址。当达到最高地址时，地址计数器将从地址00000h开始重新计数，这使得读周期可持续进行。

更多的指令说明和工作细节请读者参考25LC080的数据手册。

数据手册在光盘位置：“\Example\Chapter10\S103\25lc080.pdf”。