§5-6 磁介质
一、磁介质
前面只讨论了运动电荷或电流在真空中所激发的磁场。而在实际情形中,在运动电荷或电流的周围,一般都存在着各种各样的物质,这些物质因受磁场的作用而磁化。磁化了的物质反过来又会影响原来的磁场。这种能影响磁场的物质统称为磁介质。
若均匀磁介质处于磁感应强度为B0的外磁场中,磁介质要被磁化,磁化了的磁介质将产生磁感应强度为B′的附加磁场。则磁介质中的总磁感应强度B应为B0和B′的矢量和,即
B=B0+B′
对于不同的磁介质,附加磁感应强度B′的大小和方向有很大差异,为了便于区分各类磁介质,我们引入相对磁导率μr,当均匀磁介质充满整个磁场时,磁介质的相对磁导率定义为
式中,B为磁介质中的总磁场的磁感应强度的大小;B0为真空中磁场或者说外磁场的磁感应强度的大小;μr可以用来描述介质磁化后对原磁场的影响。现令μ=μrμ0称为磁介质的磁导率。μ和μr都是表征物质磁性的物理量,μr是无量纲量,μ的单位与真空磁导率μ0的单位一致。
实验表明,就物质磁性而言,可分成三类:
1.顺磁质
这类磁介质,在外磁场中,附加磁感应强度B′的方向与B0的方向相同,使得总磁感应强度B>B0。如铝、氧、锰等。其相对磁导率μr>1。
2.抗磁质
在外磁场中,这类磁介质的附加磁感应强度B′的方向与B0的方向相反,使得总磁感应强度B<B0,如铜、铋、氢等。抗磁质的相对磁导率μr<1;但无论是顺磁质还是抗磁质,附加磁感应强度的值B′都比B0要小得多(为几万分之一或几十万分之一),它对原来的磁场影响极为微弱。所以,顺磁质和抗磁质统称为弱磁性物质。
3.铁磁质(www.daowen.com)
这类磁介质在外磁场中,附加磁感应强度B′的方向和顺磁质一样,和B0的方向相同,但B′的值却要比B0的值大得多(可达102~104倍),即B>>B0,并且不是常量。这种磁介质能显著地增强磁场,是强磁性物质。如铁、镍、钴及其合金等。这类磁介质的相对磁导率μr>>1。
二、磁场强度
在研究磁介质中的磁场规律时,为了方便通常引进另一物理量磁场强度。在各向同性的均匀介质中,把磁感应强度和磁介质的磁导率的比值称为磁场强度,用符号H表示:
在SI中,磁感应强度的单位是安(培)每米,符号A/m。
三、铁磁质磁化规律
经过磁化后的介质,顺磁质和抗磁质比铁磁质的磁性弱得多,所以常常把它们统称为弱磁质;而把铁磁质称为强磁质。铁磁质的磁化特性与弱磁质有很大不同。弱磁质的相对磁导率μr为接近于1的常数,它对磁场的影响不大;而铁磁质的磁导率μr远大于1,而且还随磁场强度H的不同而变化。
1.磁化曲线
在实际应用中,铁磁材料多处于交变磁场中。实验表明:在磁化过程中,铁磁介质的磁感应强度B与其磁场强度H不再是弱磁质那样的简单的正比关系,而是较复杂的函数关系,如图5-24所示曲线。开始时,H=0,B=0,介质处于未被磁化状态。当H逐渐增大时,B也逐渐增大,相当于曲线的0~1段;当H继续增大,B急剧增大,相当于曲线中的1~2段;H在继续增大,B值开始缓慢增加,相当于曲线的2~P段;到达P点后,磁场强度H再增大时,铁磁质内的磁感应强度B不再增大了,达到磁化饱和状态。此时的磁感应强度Bmax称为饱和磁感应强度。曲线OP称为初始磁化曲线。
由图5-24可以看出,对于铁磁质,B和H之间不是线性关系。由式(5-32)知,曲线上各点的斜率,即磁导率μ不相同,且不是常数;μ是磁场强度H的函数。由于铁磁质具有很大的磁导率,即μr>>1,所以在外磁场的作用下,铁磁质中将产生与外磁场同方向、量值很大的附加磁感应强度,并且在外磁场撤除后,介质的磁化状态并不会完全消除,而保留部分磁性。
2.磁滞回线
在铁磁质的磁化过程中,当磁场强度增加到Hm时达到饱和状态P点后,此后外磁场由Hm逐渐减小时,磁感应强度B并不沿起始曲线OP减小,而是沿图5-25中另一条曲线PQ比较缓慢地减小。这种B的变化落后于H的变化现象,叫做磁滞现象。当磁场强度减小到H=0时,磁感应强度并不等于零,而是仍有一定数值Br,称为剩磁。随着反向磁场的增加,B逐渐减小,当达到H=-Hc时,B等于零,这时,铁磁质的剩磁就消失了。铁磁质也就不再显现磁性(称完全退磁)。通常把Hc叫做矫顽力。当反向磁场继续增强到-Hm时,材料的反向磁化达到饱和点P′。此后,反向磁场逐渐减小到零,B-H曲线便沿P′Q′变化。以后,正向磁场增强到Hm时,B-H曲线就沿Q′P变化,再回到状态P,从而完成一个循环。B-H曲线就形成一个闭合曲线,称为磁滞回线。
根据铁磁质磁滞程度的差异,一般将铁磁质分为软磁材料和硬磁材料,如图5-26所示。软磁材料矫顽力小,其磁滞回线瘦长[图5-26(a)],适于作变压器、电磁铁、电机等的铁芯。硬磁材料的剩磁和矫顽力较大,其磁滞回线较宽[图5-26(b)],适于制造永久磁铁。此外,还有一种磁性材料,其磁滞回线接近于矩形[图5-26(c)],称为矩磁材料。其剩磁Br接近于饱和磁化时的磁感应强度Bm,若矩磁材料在不同方向的磁场中磁化后,当磁化电流变为零时,它总是处于Bm和B-m两种不同的剩磁状态,可分别代表数码1和0,故可作为二进制记忆元件,广泛应用于数字电路和计算机中。当前常用的矩磁材料有锰—镁铁氧体和锂—锰铁氧体等。
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