下面，我们针对前面所讲的几种场效应晶体管，说明其检测方法。

1.结型场效应晶体管的检测

（1）沟道的区分

如图2-33所示，将万用表拨到1kΩ挡，黑表笔接一个极，红表笔轮流碰其余两个极，如阻值很大，说明都是反向电阻，则是N沟道管，黑表笔接的是栅极。相反，接法不变，但电阻都很小，则是P沟道管，黑表笔接的仍然是栅极。

（2）电极的判别

根据场效应晶体管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应晶体管的三个电极。对于有4个引脚的结型场效应晶体管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。

1）栅极G与沟道型的判定。栅极G与沟道型的判定有如下两种方法。

①将万用表置于R×100挡，用黑表笔（或红表笔）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时，且为低阻值（几百欧姆至一千欧姆），则说明所测的是结型场效应晶体管的正向电阻，此时黑表笔接触的电极为栅极G，其余两电极分别为漏极D和源极S，判定为N沟道场效应晶体管；如两次测出的电阻值均很大，则说明均为结型场效应晶体管的反向电阻，黑表笔所接的也是G极，但被测管不是N沟道类型，而是P沟道类型。

如不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出G极为止。

图2-33 结型场效应晶体管的检测

TIPS 使用充电器给蓄电池充电时，应先将充电器的输出插头插入蓄电池组的充电插座后，再将充电器的市电输入插头插入交流市电的电源插座；充电结束后，则应先拔下市电插头后，再取下充电器的输出插头。

TIPS 充电器应工作在通风良好的环境中，不要在烈日或高温的环境下工作，避免因温度过高给蓄电池组和充电器造成危害。

TIPS 在充电过程中，如指示灯异常、出现异味或充电器外壳过热，应立即停止充电，并对充电器进行检修或更换。

TIPS 充电器在使用和保管中，不要让异物进入内部，更不可使水或其他液体进入充电器，以免造成充电器内部短路损坏。

②将万用表置于R×1k挡，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应晶体管而言，D极和S极可互换，剩下的电极肯定是G极。

2）D极和S极的判定。结型场效应晶体管的三个引脚一般是呈G、D、S排列的（商标面向上，引脚正对自己），金属封装的结型场效应晶体管排列则以管键为定位点，一般按逆时针G、D、S排列。由于结型场效应晶体管的源极和漏极在结构上具有对称性，所以一般可以互换使用，通常两个电极不必再进一步区分。在需要区分D、S极的场合下，也可以利用万用表测量两个电极之间的电阻值进行判定。具体方法如下：

将万用表置于R×10挡，用红、黑表笔卡住要判断的D、S极上，分别测量极间的正、反向电阻值。当测得阻值为较大值时，用黑表笔与G极接触一下，然后再恢复原状。在此过程中，红、黑表笔应始终与原引脚接触，此时万用表的读数会出现两种情况：

①如读数由大变小，则万用表黑表笔所接的引脚为D极，红表笔所接的引脚为S极；

②如万用表读数没有明显变化，仍为较大值，此时把黑表笔与所接的引脚保持接触，然后移动红表笔与G极触碰一下。此时如阻值由大变小，则黑表笔所接的引脚为S极，红表笔所接的引脚为D极。(www.daowen.com)

（3）检测放大能力

将万用表置于R×100挡，红表笔接S极，黑表笔接D极，测出漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应晶体管的G极，将人体的感应电压信号加到G极上，由此可能观察到万用表的指针有较大幅度的摆动。无论指针摆动方向如何，只要指针摆动幅度较大，就说明晶体管有较大的放大能力。如果手捏G极时，指针摆动较小，则说明晶体管的放大能力较差；如指针根本不摆动，则说明晶体管已经失去放大能力。

必须注意的是，每次测量完毕后应将G、S极间短路一下。这是因为G-S结电容上会充有少量电荷，建立起V_GS电压，造成再次进行测量时指针可能不动，只有将G、S极间电荷短路放掉才行。

TIPS 充电器暴露在外的触头是带电的，严禁用手触摸，或用导电物接触两触头。

TIPS 使用或存放充电器时，应防止任何液体或金属屑粒等渗入充电器内部。还需要谨防跌落及撞击，以免造成充电器损伤。

2.MOS场效应晶体管的检测

MOS场效应晶体管有源极S、漏极D和第一栅极G1与第二栅极G2，应分别测量场效应晶体管S极与D极、G极与S极、G极与D极、G1极与G2极之间的电阻阻值来判断MOS管的好坏。

（1）检测源极S与漏极D之间的电阻阻值

检测时，将指针式万用表置于R×1或R×100挡，红表笔接S极，黑表笔接D极。正常时，所测得的电阻阻值应在几十欧至几千欧。对调两支表笔，其读数应与前者一致。如两次检测的数值不同，则说明该场效晶体管已损坏。

（2）检测源极S与其他电极之间的电阻阻值

将指针式万用表两支表笔分别接S极与G1、S极与G2、G1极与G2极，进行分别测量；之后，对调表笔再予以分别测量。上述各种情况所测得的电阻值均应是无穷大。如上述各种情况检测的阻值过小或为通路，则说明该场效应晶体管质量过差或损坏。

3.VMOS场效应晶体管的检测

VMOS场效应晶体管的检测方法如下：

（1）栅极G的判别

使用指针式万用表检测时，将万用表拨至R×1k挡分别测量三个引脚之间的电阻值。因为栅极G与另两个引脚是绝缘的，如发现某引脚与其他两引脚的电阻均呈无穷大，并且在调换表笔后仍为无穷大，则可判断此脚为G极。

（2）源极S、漏极D的判别

VMOS场效应晶体管在源极与漏极之间有一个PN结，可根据PN结正、反向电阻存在差异来判别是S极或D极。测量时，将两表笔交换测量两次，其中电阻较小的一次为正向电阻，此时黑表笔所接的引脚为S极，红表笔所接的引脚为D极。

（3）VMOS场效应晶体管好坏的检测

检测时应将G极与S极短路，把指针式万用表置于R×1挡，黑表笔接S极，红表笔接D极。正常时所测得的电阻值在几欧至十几欧，说明该场效应晶体管质量是好的；如测得的阻值过大或为零，则说明该场效应晶体管已损坏。