此方法的原理与前文所提及的转移石墨烯至柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯膜相类似。但是，在此方法中，将使用两个作为基底的聚合物以卷对卷式进行。此方法适用于转移单层和少层石墨烯。通过化学气相沉积法可得到数厘米的单层到少层石墨烯，它们生长于柔性过渡金属镍箔上（30μm厚）。在卷对卷式转移中，石墨烯需在柔性基底上合成。在石墨烯生长于镍辊之前，须将其插入管式炉中并在氢气（10mL/min）和氩气流（400mL/min）、900℃下进行10min的退火处理。然后注入混合气体（甲烷、氢、氩气，分别为10mL/min、100mL/min、400mL/min），在750Torr压强下合成石墨烯。继续保持相同的压强和混合气体的流动，管式炉很快便可冷却至常温。卷对卷式转移时，使用热辊（150℃）将镍箔上的石墨烯层与目标基底（乙烯-醋酸乙烯共聚物/聚对苯二甲酸乙二醇酯）进行压合。石墨烯层夹在乙烯-醋酸乙烯共聚物/聚对苯二甲酸乙二醇酯以及镍箔片中间。而乙烯-醋酸乙烯共聚物层则在聚对苯二甲酸乙二醇酯与石墨烯之间作为黏胶。为了将聚对苯二甲酸乙二醇酯/乙烯-醋酸乙烯共聚物/石墨烯层从镍箔表面进行统一分离，须以连续不断的滚动速度将已进行过热滚的聚对苯二甲酸乙二醇酯/乙烯-醋酸乙烯共聚物/石墨烯/镍箔片转移至冷轧辊上（常温）。此种卷对卷式转移方法由台湾“国立清华大学”庄等人进行了改进。但是，在此必须注意的是，通过此方法得到的石墨烯片具有高电阻、低透光性。因此，有必要对这些样品的掺杂进行研究。

此方法所面临的挑战：当通过卷对卷式系统移动铜片时，该化学气相沉积设备的设计不可使氢和甲烷气体泄漏。此外，必须小心谨慎地操作，避免氧气进入该系统；否则在有氢气的高温情况下会产生爆炸事故。(www.daowen.com)