1985年，克劳斯·冯·克利青（Klaus Von Klitzing）发现了霍尔效应，并因此被授予诺贝尔奖。如果材料的厚度t和表面积a暴露于磁场（B_H），垂直于施加的电场的方向（电流I施加于y方向），载流子沿如图4.28所示的方向移动，就在x方向形成了电势（V_H）。

图4.28 显示了在磁场作用下电子载体的运动 Courtesy：http：//en.wikipedia.org/wiki/Hall effect.(www.daowen.com)

在大多数半导电材料中都可观察到霍尔系数R_H=±l/ne。霍尔电导表现为σ_xy=电流（I）和霍尔电压的比率，其量化值表示为σ_xy=θ（e²/h）。θ为“填充因子”，它要么是整数（v=1，2，3……）要么是分数值（v=1/3，2/5，3/7，2/3，3/5，1/5，2/9，3/13，5/2，12/5……）。e是基本电荷，h是普朗克常数。只有与硅（Si）或砷化镓（GaAs）固体一起，而且需在相当低的温度下（约3K）和在非常高的磁场中，才能观察到此效应。

另一方面，石墨烯除了具有高迁移率和最小电阻率，其在不同磁场下的霍尔电导率σ_xy也十分有趣。诺沃肖洛夫等研究了室温下石墨烯量子霍尔效应，发现电导率（σ_xy）因v值的不同和磁场数值的不同而变化。这一非凡的特性是在室温下（约为20℃）发现的。