在实验中已观察到室温下石墨烯具有高电子迁移率[15000cm²/（V·s）]。石墨烯的电子和空穴迁移率在10～100K温度范围内几乎是相同的。这种情况只有在石墨烯中不存在缺陷且在较低的温度下才可能出现。然而，如果在声子相互作用的散射过程下，室温下迁移率为200000cm²/（V·s），载流子密度为10¹²/cm³。在这种情况下，本征电阻率在室温下为10^-6Ω·cm，小于银的电阻率。石墨烯对用于合成的基底类型显示出功函数依赖性。同样，沉积于二氧化硅上的石墨烯的电子迁移率为40000cm²/（V·s）。通常可以预测的是，一旦材料掺杂了一些阳离子、阴离子或中性分子，取代的分子不能通过任何物理过程进行去除，如真空下的热处理等。在石墨烯中，一些科学家[沙丁等（Schedin et al），2007]观察到，掺杂材料如气态物（受体或给体）甚至钾，可以通过在真空下进行热处理将其从石墨烯上移除。有趣的是，这些杂质会对载流子迁移率产生影响，但在热处理后，又观察到了原本的迁移率。这种现象表明，掺杂石墨烯可以不用掺杂物代替碳原子。这也意味着，这种掺杂是在石墨烯中已存在的间隙位置完成的，而这些在间隙位置的掺杂能够影响载流子迁移。此外，在间隙位置的掺杂物可以通过适当的热处理去除。基于这些观察，为了保持石墨烯的中性，掺杂剂必须处于间隙位置才能保持电荷平衡。这一结论需要深入地调查研究，尤其是要检查电荷和掺杂物所在的间隙位置。(www.daowen.com)