1）电解电容的热损耗

电容器是储能元件，本不应该有功率损耗，但是等效串联电阻的存在使得纹波电流在其上面产生了显著损耗。这部分损耗就会以热的形式散发出去，引起电容器温度上升。一般电容器的型号、设计尺寸确定了，ESR随温度、频率的变化规律就确定了，因此如果测得应用电路中的纹波电流，就可由ESR上产生的功率损耗估算温升。电解电容器的总温升实际上是由两部分温升组成，一部分是由纹波电流产生的损耗引起的温升，另一部分是由漏电流损耗引起的，但是后一部分损耗相对比较小，一般可以忽略不计［110］。

式中　Pec——功率损耗；

Iec——纹波电流有效值；

RES——等效串联电阻。

2）MOS管上的损耗

MOS管上的损耗由导通损耗、开通损耗、驱动损耗和关断损耗组成［111］。

（1）导通损耗

导通损耗Pcon为开关周期内电流的有效值IP1＿rms2二次方与导通电阻Rds（on）的乘积。

（2）开通损耗

由于MOSFET存在寄生的输出结电容，因此在Toff期间该电容将进行充电，存储能量。而在下一个开关周期，在MOSFET开通的瞬间，储存在该电容上的能量将会通过自身形成的回路释放，造成功率损耗。(www.daowen.com)

式中　Vvally——谷底开通时MOSFET漏源极间的电压。

（3）驱动损耗

在MOSFET开通瞬间，不仅仅存在上述由于寄生的输出结电容储能释放造成的功率损耗。由于MOSFET的栅源极间也存在一个寄生电容——输入电容Ciss，因此同样会造成功率的损失。所造成的驱动损耗如下：

（4）关断损耗

由于实际中MOSFET上的驱动电压波形并非理想的矩形波，其开通时的上升沿和关断时的下降沿存在一定的坡度，此时MOSFET中尚有电流通过，因此电压和电流波形的交叉造成了功率的损耗。

3）电感的损耗

电感上的损耗由铜损和铁心损耗组成。铜损耗由电感绕组损耗组成。铁心损耗是指单位体积（重量）的铁心材料在交变磁场作用下所消耗的能量，主要由磁滞损耗和涡流损耗两部分组成。

4）其他损耗

由于所设计的驱动器功率很小，因此除了MOS管及电感两个主要的损耗器件外，驱动器中其他元件的损耗也不能小视，这些元件主要有采样电阻、续流二极管、输出滤波电容和整流桥等。