连接体在还原反应和氧化性气氛P_O2=10^-16～10⁵Pa下应具有高电子电导率，即电子电导率在操作温度(873～1273K)下大于10S/cm。掺杂的LaCrO₃是一种p型导体，电子电导率随低价阳离子浓度而增加，低价阳离子如下列反应中La³⁺位上的Sr²⁺或Ca²⁺：

在Cr⁴⁺位上将形成一个电子空穴，导电机制为小极子通过Cr⁴⁺位的跃迁过程。1273K下空气中的电子电导率为10～100Scm^-1。图15.2显示了掺杂的La_- CrO₃的电子电导率对温度的曲线^{［21，22］}。电子电导率随温度的增加而增大，表明半导体温度的相关性。增加La_1-xCa_xCrO_3-δ中Ca的浓度提高了电子电导率，是因为增加了Cr⁴⁺的浓度。在测试的碱土元素Ca掺杂的LaCrO₃中电子电导率存在一些偏差表明其电子电导率大于Sr掺杂的LaCrO₃，据报道这种差别是因为晶格畸变和相稳定性方面的差别所致。在1173～1323K下电导的活化能为0.12～0.14eV，迁移率为0.066～0.075cm²/V/s。

电子电导率随氧气分压的减小而降低，是因为还原气氛中Cr⁴+浓度的减小，如下式所示：

图15.3显示了1273K(1000℃)下电子电导率对氧气分压的曲线。如上所述，电子电导率随氧气分压的减小而降低，电子电导率与成比例，这与La_1-xCa_xCrO_3-δ的缺陷化学一致^［22］。一些作者还考虑了B位的掺杂^［1-5］，典型的掺杂剂为Mg²⁺阳离子，取代了Cr³⁺位，这种取代也增加了Cr⁴⁺的浓度，从而增加了电子电导率。(www.daowen.com)

图15.2 La_1-xCa_xCrO_3-δ(x=0.1～0.3)的电子电导率对温度倒数(经电化学学会允许重印^［22］)

图15.3 1273K下La_1-xCa_xCrO₃(x=0.1，0.2，0.3)的电子电导率对氧分压(实线为缺陷化学计算的直线)(经电化学学会允许重印^［22］)