在足够高的温度时，Ba₂In₂O₅、Sr₂Fe₂O₅和Ba₄(Ca₂Nb₂)O₁₁会变得无序，因此游离氧空位将进行水化，但是在这种情况下缺陷化学是怎样进行的？让我们以Ba₂In₂O₅为例：周围一定有氧空位，但是电荷补偿缺陷是什么呢？有人会说该材料是掺杂100％In的BaZrO₃或者掺杂100％Ba的LaInO₃。这种猜想是可行的，但是并不让人满意，因为其中并没有涉及掺杂。反之，如果无序系统是完善的结构，每个氧空位都充满5/6的氧化物离子，我们表示它为一个5/6位。观念上，它包含-2×5/6=-5/3的电荷。这个符号意味着空位和氧化物离子构成缺陷，它们真正的电荷与部分占据位的理想电荷不同。电中性条件和总位限制被写为

因为两种物质(离子和空位)都是有缺陷的，它们都承担有效电荷并且因此有利于导电性，这允许与其他缺陷和少数缺陷行为的解释进一步作用。水化反应可以写成：(www.daowen.com)

例如T或p_H2O相关的电中性，平衡常数和溶解度的进入通过普通的方式被完成。它获得的结果与普通的缺陷化学相似，但却没有依赖“100％”的掺杂或其他更加错误的方式。同样类型的缺陷化学能够被应用于其他类型的内在障碍。例如一些无序同质多型体δ-Bi₂O₃(3/4O)、Ba₄(Ca₂Nb₂)O₁₁(11/12O)、Ca₁₂Al₁₄ O₃₃(1/6O)、LaNb₃O₉(1/3La)、Ba₃La(PO₄)3(3/4Ba+1/4La)和CsHSO₄(1/4H)。