以下将第1步分析用符号1^表示，第2步分析用符号2^表示。如果像在1^分析中那样，强制I_K∠0=I_c和，并将式（4-28）用显式表示，那么可以得到

从而可以推出

式（4-37）给出了的表达式，但没有遵守在H端口的I_c限制。

类似地，如果像在2^分析中那样，强制I_H∠0≡I_c和，并将式（4-29）用显式表示，那么可以得到

从而可以推出

式（4-38）给出了的表达式，但没有遵守在K端口的I_c限制。(www.daowen.com)

同时将和曲线给出来，并相互作为边界，则一旦将I_c固定，就能够画出“受端功率区域”的边界r，如图4-18和图4-19所示。

图4-18 通过式（4-37）曲线1^和式（4-38）曲线2^分离出受端功率区域

图4-19 通过式（4-37）曲线1^和式（4-38）曲线2^分离出受端功率区域

采用类似的方法，展开式（4-8）和式（4-20），可以推导出下面的关系式：

这样，通过和就能够画出“送端功率区域”的边界s。式（4-39）和式（4-40）给出的是圆周，而式（4-37）和式（4-38）给出的是具有较小离心率的椭圆，因为除了具有的第3项外，还存在具有复共轭的第4项（通常很小）。

这种方法将送端功率区域和受端功率区域作为一种交集来确定，在画具有很多载流容量限制（不同的地点和不同的数值）的线路的PQ能力图时可以变得非常有用。