图5-18 SCR的短路发射极结构

双极型器件，尤其是四层三结（SCR、GTO及其IGCT）器件在阻态时，其正向耐压和反向耐压有所不同，因为承受耐压的结不同；同时该类器件在阻态时，容易被外界干扰，使得器件误导通。为提高正向偏置的耐压值，使得正反偏置耐压对称，同时保证阻态的可靠性，往往在器件内部设计一个短路发射极结构，如图5-18所示。阴极上的金属将发射极J₃短接。由于J₃结正向门槛电压U_O（0.7V）的存在，阳极电流（横向流动）在短路点流入阴极，α₂=0；另一方面，横向电流在横向电阻R_g上产生横向压降U=I_gR_g（横），当I_g增大，U增加到一定程度，电流直接从J₃结流过。此时，R_g反映了短路效果，一般地，选取R_g=30～50Ω为佳。

短路发射极结构设计的效果即为：不管α₂的设计制造有多大，小电流（阻态状态）时，α₂→0，从而使得四层三结器件保持阻态。另外，正反向耐压如下式所示：(www.daowen.com)

可以看到：当有短路发射极结构后，α₂→0，则正反向耐压基本相等了，同时亦使器件正向耐压提高了。尤其在高温下，一般α₂都将增大，致使器件的高温耐压下降，而有了短路发射极，则使阻断时的α₂=0，使高温耐压保持或略有提高，进一步提高了器件的du/dt耐量。