单极型器件内部的载流子或者是自由电子或者是空穴，两者只能其一。电流主要由漂移构成，目前应用中比较典型的代表是功率MOSFET。

1.功率MOSFET输出特性

功率MOSFET管的静态伏安特性如图5-6所示。当功率MOS管充分导通进入电阻区（线性区）时，就像一个电阻，当栅极电压小于阀值电压时，功率MOS管处于截止状态。为保证器件导通后进入线性工作区，栅极电压要足够大，一般要大于10V。显然，U_GS越大，可变电阻区部分U_DS就越大。由于功率MOS管从结构和参数上保证了寄生晶体管不起作用，因此在工作中很难发生二次击穿现象，它的安全工作区宽。

图5-6 功率MOSFET器件（单极型器件） 的伏安特性

2.功率MOSFET主要参数

（1）开启电压U_GS（th）：又称阈值电压，它是指功率MOSFET管扩散沟道区发生变形使沟道导通所必需的栅源电压。随着栅极电压的增加，导电沟道逐渐“增强”，即其电阻逐渐减小，电流逐渐增大。开启电压U_GS（th）随结温变化而变化，并具有负的温度系数。

（2）漏极电流I_D：当栅极加适当的极性和大小的电压时，沟道连接了源极和漏极的轻掺杂区，并且产生了漏极电流，当漏极电压较小时，漏极电流与漏极电压呈线性关系：

式中 μ——载流子迁移率；

C₀——单位面积的栅极氧化电容；(www.daowen.com)

Z——沟道宽度；

L——沟道长度。

随着漏极电压的增加，漏极电流出现饱和与U_GS平方成一定关系：

（3）跨导g_s：功率MOSFET的跨导或增益定义为漏极电流对栅源电压的变化率，即

上式表明，漏极电流和跨导是密切相关的，跨导是栅源极电压的线性函数。

图5-7 栅源电压与通态电阻的关系

（4）通态电阻R_on：通态电阻R_on是指在确定的栅源电压U_GS下，功率MOSFET处于恒流区时的直流电阻，它与输出特性密切相关，是影响到输出功率的重要参数。R_on的大小与栅源电压有很大的关系，如图5-7所示。显然，随着U_GS的增加，R_on减小，但U_GS也不能太高，受栅极极限电压限制。