通常，电力半导体器件主要作为“理想开关”，其工作方式主要表现为双稳态，即通态与阻态。但在实际应用中，由于器件内部的工作机理，更通俗地讲，由于功率器件处理的是功率与能量，能量不能消失也不能突变。因此，从通态到阻态或者从阻态再到通态，存在中间的过渡过程，这两个过程称之为：双瞬态，即开通与关断。

造成电力半导体器件短时间内导通状态有如此大的变化的主要原因，即为器件内部载流子浓度分布的变化。从单PN结或者多PN结的状态可以了解双稳态的物理本质。

1.导通稳态（通态）

当对器件两端施加足够的正向电压和在驱动端施加足够的驱动电压（电流），不管是单PN结器件还是多PN结器件，对于正偏置的PN结，由于正向电压形成的外电场削弱了PN结内部空间电荷区形成的内电场，打破了多子扩散和少子漂移的平衡，形成正向电流。随着外加电压的增加，正向电流按指数规律增长。对于多PN结器件（如PNP结构），当正向偏置PN结流过正向大电流时，注入基区（通常是N型材料）的空穴浓度大大超过原始N型基片的多子浓度，为了维持半导体电中性的条件，多子浓度也要相应地大幅度增加，即在注入大电流条件下原始N型基片的电阻率大大下降，也就是说电导率大大地增加，原来反偏置的PN结的空间电荷区被大大削弱，这时整个器件处于一种“低阻态”状况。只要保持外加正电压和驱动正电压（电流）足够大，就能维持这种这种“导通稳态”。

2.阻断稳态（阻态）

当对单PN结器件施加反向偏置，由于反偏电压形成的外电场加强了内部电场，从而强烈地阻止PN结多子扩散，但该电场使漂移加强，这种漂移形成漏电流，由于少子浓度很低，该漂移电流就很小，此时呈现“高阻态”状况。(www.daowen.com)

而对于多PN结器件（如PNP结构），去掉驱动电压（电流）时，处于反偏置的PN结这时又恢复了原来较大的空间电荷区。阻止了正向偏置PN结过来的多子扩散，形成了“高阻态”状况。

从上面的分析中可以看到：

1）电力半导体器件的“导通稳态”与“阻断稳态”是由器件内部的PN结状态决定的；

2）“导通稳态”与“阻断稳态”中反映出来的电阻差异并不是导体电阻的意义，而是反映器件内部载流子分布的情况。

“双暂态”是“双稳态”切换中的过渡过程，亦是由器件内部的PN结状态所决定的。