MOS栅结构是MOSFET的重要组成部分，一个典型的N沟道增强型结构示意图如图4-25所示。其中栅极、源极和漏极位于同一个平面内，半导体的另一个平面可以称为体端，所以在一些书籍和资料中，也将MOSFET称为四端器件，实际上那个体端一般跟源极相连接，所以在此还是将MOSFET看成三端器件。N沟道增强型MOSFET的图形符号如图4-26a所示，跟结型场效应晶体管一样，存在3种类型的MOSFET，它们的图形符号如图4-26b、c和d所示。在实际应用中，一般不特指时的MOSFET都是增强型MOSFET，即在栅极不控制时，漏极-源极之间可以承受正偏置电压。

图4-25 N沟道MOSFET结构示意图

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图4-26 不同类型MOSFET的图形符号

在图4-25中，点划线框内就是典型的MOS结构，或者称为MOS栅结构。在金属和P型半导体之间的黑色部分就是氧化物绝缘层。需要补充说明的是，在早期的MOS栅结构中，金属侧只能使用金属材料，而在现代的MOS栅结构中，金属几乎完全被重掺杂的多晶硅或者金属-多晶硅合金所代替，这些材料在生产方便性和可靠性上都更具有优势。不妨碍对MOSFET结构和基本工作原理的理解，在此仍认为其是金属材料。和结型场效应晶体管一样，在MOSFET中载流子也是从源极经过沟道流向漏极，所以与源极和漏极相连接的都是重掺杂的N⁺区，以便更好地提供载流子。仔细观察，在MOSFET中，由于源极和体端相连接，从源极到漏极，即从体端到漏极还存在PN+结，即一个双极型二极管，显然它对MOSFET的反向阻断和导通特性有明显的影响。

为分析和表述方便，定义栅极到源极（就是栅极到体端）的电压为U_GS，漏极到源极的电压为U_DS，流经MOSFET的电流，即流入漏极的电流为I_D。