严格来说，电子与空穴的电离和复合并不能算作载流子的运动，只是载流子的产生和消失。在这里，把它们看成载流子运动的一部分，有时候电子与空穴的电离和复合能够影响半导体中载流子漂移和扩散运动。

在半导体中，本征激发和杂质电离总是同时存在的，两者所激发出来的载流子是无法进行区分的，只是在不同的温度或者其他外界条件下所占的比例不同，前面已经有相关分析。一般将电子-空穴对的产生叫做电离；将电子-空穴对的消失称作复合。电离和复合在半导体中总是不断发生的过程，只要半导体处于热运动中，两种方式总是向彼此平衡的情况发展。

定义单位时间内、单位体积内复合的电子-空穴对的数目为复合率，用R来表示。载流子的复合率应当既跟电子的浓度成正比，也跟空穴的浓度成正比，因为二者之中，无论哪一种增加，都会使彼此相遇的机会增加，即复合率增加。明显地，温度也对复合率有明显的影响。所以

R（n，p，T）=r（T）np （2-36）式中r（T）——复合率系数，是跟温度有关的系数。

定义单位时间内、单位体积内电离产生的电子-空穴对的数目为电离率，用G表示。在热平衡条件下，G只跟半导体材料的种类和温度有关（热平衡时，电离中不包括光照等其他产生载流子的因素），而与半导体现存的电子和空穴浓度无关，当然这是一个较近似假设。

在热平衡情况下，电离率与复合率相等，使载流子保持在一定的浓度，处于一种动态平衡之中。有(www.daowen.com)

r（T）np=G（T） （2-37）

即

np=G（T）/r（T） （2-38）

也就是说，热平衡的半导体中的载流子浓度乘积，是一个取决于半导体材料种类和温度的常数，这跟前面分析的结论是一致的。