按电力半导体器件的驱动方式可以将器件分为电压控制型、电流控制型和光控型3类。

1.电流控制型器件

电流控制型器件有SCR、BJT、GTO等，这类器件必须有足够的驱动电流才能使器件导通或者关断，本质上是通过控制（对晶闸管为门极，对BJT为基极，对MOSFET、IGBT为栅极）极电流来直接影响器件的行为，随着器件容量的增加，一般需要更大的驱动功率。对于GTO和SCR来说，一般需要脉冲电流控制，而对于BJT一般需要采用持续的电流控制，前者的驱动电路相对复杂，但不需要持续的功率消耗。

2.电压控制型器件(www.daowen.com)

电压控制型器件有IGBT、MOSFET等，这类器件的开关行为只需要有一定的电压和很小的驱动电流就可以，因而电压控制型器件只需很小的驱动功率，驱动电路也比电流控制驱动型的简单，已经有很多专用集成驱动芯片可以直接使用。另外，采用电压控制驱动的器件开关动作一致性相对较好。

3.光控型器件

光控型器件一般是专门制造的电力半导体器件，如光控晶闸管。这类器件通过光纤和专用的光发射器来控制器件的开关行为，驱动电路非电化，可以很大程度上减小电路的电磁干扰，如主电路的传导和辐射干扰。光控型器件一般用在某些大容量电力电子变换系统中，如电力系统的直流输电装置中。