E频段受干扰，在频率维度上，E频段TD-LTE与WLAN频段紧邻。E频段TD-LTE工作于2300～2400MHz，WLAN工作的ISM频段为2400～2483.5MHz，无过渡带。经实地测试，目前主要存在TD-LTE基站与WLAN AP间干扰，TD-LTE终端与WLAN终端间干扰。

我国E频段仅分配2320～2370MHz，目前基站射频仅支持50MHz带宽，由于要支持国际漫游E频段终端射频需要支持全部2300～2400MHz，因此终端间干扰相对严重，干扰示意如图3-8所示。

图3-8 E频段频域受干扰示意图

E频段受干扰，在空间维度上，E频段TD-LTE室内设备与WLAN设备通常距离较近。

目前，根据我国频谱管理规定E频段仅能应用于室内。室内应用时，基站间距离、终端间可能较近，空间隔离较小，相对室外共存，干扰相对严重。

1.基站间干扰分析和解决方案

（1）WLAN干扰LTE

主要为杂散干扰（WLAN杂散指标较差），50MHz滤波器的LTE抗阻塞能力较强，无阻塞干扰，LTE采用室分天线，馈线损耗减弱了杂散和阻塞干扰影响，基本无干扰。

（2）LTE干扰WLAN

主要为阻塞干扰（WLAN抗阻塞较差），测试表明LTE杂散性能优良。对WLAN无杂散干扰，目前WLAN AP支持-30dBm窄带阻塞，但实际需要-26dBm宽带阻塞指标，尚未进行测试，有待进一步评估。

解决方案包括以下几种。

1）工程隔离：WLAN旧设备保证与LTE室分天线间有4m以上的隔离距离。

2）频率使用：建议LTE优先使用2320～2340MHz低频点。(www.daowen.com)

3）设备要求：提高WLAN新设备阻塞指标（2370MHz处抵抗-26dBm宽带阻塞干扰）。

如果未来LTE采用Pico基站，相比LTE室分，LTE Pico基站功率相对室分天线口功率较大，将增加LTE对WLAN的干扰；此外，缺乏馈线损耗保护，基站间隔离度降低，LTE存在被WLAN杂散干扰的风险。针对LTE Pico与WLAN AP共存，需要进一步提高WLAN AP的射频指标，2370MHz处杂散指标为-67dBm/MHz，2370MHz处抗阻塞达到-17dBm（宽带干扰）。

2.终端间干扰分析和解决方案

（1）LTE干扰WLAN

主要为阻塞干扰（WLAN终端抗阻塞能力较差），实测结果表明LTE终端杂散对WLAN 无干扰。

（2）WLAN干扰LTE

主要为杂散干扰（WLAN终端杂散指标较差），LTE终端阻塞性能优于标准，抗干扰性能较强，与LTE使用频点、受干扰终端与服务基站的距离、终端间距离、WLAN终端型号有关。

实测结果表明共室分系统中，LTE终端信噪比较好（远点仍可达到15dB），未发现明显干扰。

解决方案如下：LTE尽量采用低频点部署（2320～2340MHz），适当提高LTE和WLAN室分系统覆盖电平，提升WLAN的终端的抗阻塞指标（2370MHz频点处达到-22dBm宽带干扰）。

3.小结

目前TD-LTE系统E频段受到的干扰主要为LTE对WLAN放装型AP的干扰，以及LTE终端对WLAN终端的干扰。

建议LTE优先使用2320～2340MHz低频点，WLAN旧设备保证与LTE室分天线间有3～4m以上的隔离距离，适当提高LTE和WLAN室分系统覆盖电平。对设备的要求如下：提高WLAN AP新设备阻塞指标（2370MHz处抵抗-26dBm宽带阻塞干扰），提升WLAN的终端的抗阻塞指标（2370MHz频点处达到-22dBm宽带干扰）。

未来使用E频段TD-LTE Pico基站，则基站和终端将受到WLAN AP的干扰，WLAN AP受到的干扰更为严重，需要进一步加严WLAN AP和终端的射频指标。LTE采用Pico基站部署且站点较多时，LTE终端信噪比余量将下降，易受到WLAN干扰，需要提高WLAN终端的杂散指标（2370MHz处为-60dBm/MHz）。