对于传统的OLED，底电极透明，顶电极不透明，光从器件底部发出。为满足终端电子产品透明显示的需求，底电极和顶电极均需要具有透明特性。当ITO作为底阳极、石墨烯作为顶阴极时，有望满足该应用需求。

Chang等提出了一种基于石墨烯顶阴极的全溶液法制备OLED，该器件的阳极ITO和阴极石墨烯均可透光，能实现透明显示。该研究直接将石墨烯转移至目标基底（有机层）上，无须PMMA等聚合物过渡，有效避免了聚合物残留颗粒对器件性能的影响。

在石墨烯转移过程中进行CsF的n型掺杂，制备了如图6-27（a）所示的OLED。经过CsF掺杂，石墨烯薄膜的功函数由4.2eV降低至3.2eV[图6-27（b）]，该透明OLED的最大亮度为1034cd/m2[图6-27（c）]，最大电流效率为3.1cd/A[图6-27（d）]。该工作表明，基于有效的n型掺杂和直接转移法，石墨烯薄膜可以作为OLED顶阴极使用。

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图6-27　基于CsF掺杂4层石墨烯顶阴极的蓝光透明OLED结构及性能

（a）OLED结构；（b）基于本征态4层石墨烯顶阴极和CsF掺杂的4层石墨烯顶阴极的器件电流密度-电压曲线；（c）电流密度-电压-发光亮度曲线；（d）电流效率-电流密度曲线

对比表6-2结果发现，CsCO3掺杂有利于降低石墨烯功函数但其方块电阻较大；N-DMBI、CsF 掺杂也可以达到较低的功函数，但由于石墨烯层数较多，其透过率低。当前，制备n 型掺杂石墨烯基OLED面临的主要问题是在降低石墨烯功函数的同时，减小其方块电阻，并且保持良好的透光性。为了解决这些问题，还需研究人员进一步探索。由于掺杂石墨烯性能的影响因素较多，不能单纯依靠某种因素来评价掺杂石墨烯的性能好坏，须平衡各方面条件得到性能相对较好的石墨烯基OLED。