磁控电抗器（Magnetically Controlled Reactor，MCR）是一种通过改变电抗器铁心的磁通密度来实现自身电抗值调节的电抗器。其基本原理可以追溯到磁放大器和普通的饱和电抗器，但它的结构模式与常规的磁放大器和饱和电抗器有很大的区别。

在铁心使用方面，与传统的变压器铁心及电抗器铁心不同，MCR的铁心中具有窄截面段，即所谓的“磁阀”，如图5-3所示。在该铁心结构下，MCR的调节过程中只要磁阀部分达到饱和，而其他部分不需要达到饱和，使得MCR的损耗大幅度下降。目前，10kV电压等级MCR的整体损耗约占其额定容量的0.8%～1.0%，35kV的约占0.5%～0.7%，是同类型设备中最低的。同样，该措施也使得MCR的自身谐波大大降低，使MCR的噪声大幅度下降，10kV/4000kvar的MCR的噪声约为60dB。

绕组结构方面，MCR的采用自耦励磁方式。这样既简化了结构，又降低了成本，最为关键的是：这一技术使得MCR在超高压场合的应用因承受电压大大降低而变得相当可靠与方便。

MCR型SVC基本组成部分为MCR与电容器（抗）组。电容（抗）器组的容量视设计要求而定。如果需要抑制谐波，则可加装FC。FC也可与MCR共开关。MCR的容量应等于无功负荷的变化容量。图5-4是它的典型接线。

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图5-3 MCR铁心结构示意图

图5-4 MCR型SVC的典型接线