对场效应晶体管的检测是电子产品设计、生产、调试、维修中非常基础的操作技能。为了能够在最短时间内掌握场效应晶体管的检测方法，我们特别挑选了几种极具代表性的场效应晶体管作为检测训练对象，通过这些专项练习完成检测技能的系统训练，从而最终掌握场效应晶体管的检测方法。

1.结型场效应晶体管常规性能判别的检测训练

对于结型场效应晶体管常规性能的检测，可使用万用表测量结型场效应晶体管引脚之间的

电阻值，通过测量结果即可判别结型场效应晶体管的常规性能。

检测前，首先明确待测结型场效应晶体管的引脚极性，然后选择万用表测量量程（一般设

为“×10”欧姆挡），并进行零欧姆调整，如图8-46所示。

图8-46 结型场效应晶体管常规性能检测前的准备工作

接下来，用万用表分别检测结型场效应晶体管G极与S极、G极与D极、S极与D极之间的正反向电阻值，并根据测量结果进行性能的判断，如图8-47所示（以检测G极与S极引脚间正反向电阻值为例，其他两组引脚的检测方法与之相同）。

图8-47 结型场效应晶体管引脚间电阻值的检测方法

【注意】

正常情况下，结型场效应晶体管各引脚之间的正反向电阻值应为：

·栅极(G)与源极(S)、漏极(D)间的正向电阻值均较小，一般为几百欧姆至一千欧姆；

·栅极(G)与源极(S)、漏极(D)间的反向电阻值均较大，趋于无穷；

·源极(S)与漏极(D)之间的正反向电阻值相同，大约为几千欧姆。

若结型场效应晶体管出现电阻值为零，说明所测结型场效应晶体管出现短路情况；若应有一定电阻值的两引脚之间，电阻值为无穷大，说明所测结型场效应晶体管出现开路情况。

提问

我们在认识结型场效应晶体管时了解到，结型场效应晶体管有N沟道和P沟道两种结构，这两种结构的场效应晶体管检测方法和判断规律相同吗？

回答

我们上面实际操作时所测场效应晶体管为N沟道结型场效应晶体管，而对于P沟道场效应晶体管来说，检测方法相同，只是表笔极性相反，即将红表笔接栅极（G），黑表笔分别接源极（S）和漏极（D），检测栅极（G）与源极（S）、栅极（G）与漏极（D）之间的正向电阻值，调换表笔后测反向电阻值，如图8-48所示。

图8-48 P沟道结型场效应晶体管常规性能的检测方法

2.绝缘栅型场效应晶体管常规性能判别的检测训练

用万用表检测绝缘栅型场效应晶体管常规性能的方法与结型场效应晶体管的检测方法基本相同，只是测量结果有所不同。

首先明确绝缘栅型场效应晶体管的引脚极性，然后用万用表分别检测绝缘栅型场效应晶体管两两引脚之间的正反向电阻值，如图8-49所示。

图8-49 绝缘栅型场效应晶体管常规性能的检测方法

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图8-49 绝缘栅型场效应晶体管常规性能的检测方法（续）

【注意】

正常情况下，绝缘栅型场效应晶体管各引脚之间的正反向电阻值应为：

·栅极(G)与源极(S)、漏极(D)之间的正反电阻值都为无穷大；

•源极（S）与漏极（D）之间的反向电阻值为几百至几千欧姆，正向电阻值较大。

【资料】

绝缘栅型场效应晶体管的栅极绝缘层很薄弱，容易被击穿而损坏。当栅极开路时。极易受静电干扰而击穿损坏，所以为防止MOSFET因静电感应而引起的损坏，应注意

以下几点：

·在不使用时，将其三个电极短路连接；

·在进行安装、更换、焊接时，人体、工作台、电烙铁必须良好接地；

·测试时所有仪器外壳必须接地，并应注意释放人体静电，防止人体静电导致栅极绝缘击穿损坏。

·实际应用中，可在栅、源极间并联齐纳二极管，以防止电压过高；

·漏、源极间应采取缓冲电路等措施吸收过电压。

3.结型场效应晶体管放大能力的检测训练

场效应晶体管的放大能力是其最基本的性能之一。一般，可使用指针万用表粗略测量场效应晶体管是否具有放大能力，图8-50为结型场效应晶体管放大能力检测原理示意图。

结型场效应晶体管放大能力的具体检测方法如图8-51所示。

图8-50 结型场效应晶体管放大能力检测原理示意图

图8-51 结型场效应晶体管放大能力的具体检测方法

【注意】

正常情况下，万用表指针摆动的幅度越大，表明场效应晶体管的放大能力越好，反之则表明放大能力越差；若螺丝刀接触栅极(G)，指针不摆动，则表明场效应晶体管l已失去放大能力。

当测量一次后再次测量，指针可能不动，这也正常，可能是因为在第一次测量时G、s极之间结电容积累了电荷。为能够使万用表指针再次摆动，可在测量后短接一下G、s极。

4.绝缘栅型场效应晶体管放大能力的检测训练

绝缘栅型场效应晶体管放大能力的检测方法与结型场效应晶体管放大能力的检测方法相同，需要注意的是，为避免人体感应电压过高或人体静电使绝缘栅型场效应晶体管击穿，检测时尽量不用手直接捏，而是用手拿螺丝刀，再用螺丝刀进行碰触，如图8-52所示。

图8-52 绝缘栅型场效应晶体管放大能力检测原理示意图