磁敏三极管是基于双注入、长基区二极管设计制造的一种结型磁敏晶体管，它可分为NPN和PNP两种类型，制作的材料既可以是Ge，也可以是Si。

1.磁敏三极管的结构

图6-15（a）和图6-15（b）分别是Ge、Si磁敏三极管的结构示意图。可以看出，Ge磁敏三极管是立体式结构，有发射极e、基极b和集电极c（均通过合金法或扩散法在弱本征P型半导体上形成）。其中，集电极和发射极上、下正对，基极则位于侧面。在发射极一侧的基区制造一个高复合的r区。Si磁敏三极管则是一种平面式结构，它是在N型基底上分别形成发射区、集电区和基区，最后形成PNP型磁敏三极管。需要注意：Si磁敏三极管没有高复合区。

图6-15　磁敏三极管的结构

如图6-16所示为NPN型Ge磁敏三极管和PNP型Si磁敏三极管的符号。

图6-16　磁敏三极管的符号

2.磁敏三极管的工作原理

下面结合图6-17来说明锗磁敏三极管的工作原理。

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图6-17　磁敏三极管的工作原理

图6-17（a）表示外加磁场H＝0时空穴的运动情况。因磁敏三极管基区长度大于载流子有效扩散长度，且长基区中设置有高复合的表面层r，从而使复合区的体积远大于集-射极间的输运基区的体积，因此发射区注入的载流子除了少部分输入集电极c外，大部分通过e-i-b，形成基极电流。故基极电流Ib大于集电极电流Ic，电流放大倍数β＝Ic/Ib＜1。

图6-17（b）表示外加磁场H＞0时空穴的运动情况，此时因洛仑兹力导致载流子向发射区一侧偏转，从而使集电极电流Ic明显下降。

图6-17（c）表示外加磁场H＜0时空穴的运动情况，此时因洛仑兹力的作用使得载流子向集电区一侧偏转，从而使集电极电流Ic增大。

从上述分析可以看出，锗磁敏三极管的磁敏特性由两部分组成：一个是集电极电流增益特性（共射直流电流增益和共基直流电流增益都随磁场变化而变化）；另一个是基极电流增益特性（发射极c、复合区r及基极b构成长基区磁敏二极管）。对于硅管来说，因为不存在复合区r，所以它的磁敏特性只包括集电极电流增益特性，而不包括基极电流增益特性。

3.磁敏三极管的主要技术参数

磁敏三极管主要技术参数的含义如表6-3所示。表6-4则示出了3BCM型锗磁敏三极管和3CCM型硅磁敏三极管的部分技术参数。

表6-3　磁敏三极管的主要技术参数

表6-4　磁敏三极管的部分技术参数