1.门极触发特性

（1）门极触发电流I_GT 室温下在阳-阴极间外加6V或12V电压时，晶闸管导通所需的最小门极直流电流。

（2）门极触发电压U_GT 对应于I_GT的门-阴极直流电压。

（3）门极不触发电流I_GD 额定结温时，当晶闸管电压为断态重复峰值电压时，保持器件不导通允许施加的最大门极直流电流。

（4）门极不触发电压U_GD 对应于I_GD的门-阴极之间的直流电压。

理想的门极特性要求触发电流小、触发电压低；门极不触发电流、电压相对较大，灵敏度高触发可靠。采用强触发时，要求晶闸管门极允许功耗大，能承受足够大的平均功耗P_GIV、瞬时功耗P_GM。

2.门极触发要求

门极触发特性是指晶闸管导通所需的门极电流I_GK和门极电压U_GK。分为不触发区、不稳定触发区和可靠触发区，见图4-145。

图4-145 晶闸管的门极触发特性

（1）门极负偏压 门极相对于阴极电压为负，门-阴极间的发射结处于反向偏置，但负偏压不得超过击穿电压。负偏置门极回路对噪声、器件开关工作时阳极端产生的振荡电压、阳极电压的du/dt等的抑制作用较好，使器件保持稳定可靠的阻断状态。

（2）I_GD和U_GD 在额定结温阳极施加断态重复峰值电压时，晶闸管门极不触发电流小于门极触发电流。

3.触发脉冲参数与技术特性(www.daowen.com)

门极脉冲波形见图4-146。采用强触发时，门极电流可以比触发阈值高10倍，便于多个器件串并联。实际触发是100μs左右的强脉冲，再紧跟数毫秒的宽脉冲。

图4-146 晶闸管门极脉冲波形

（1）门极电流上升率di_G/dt 提高di_G/dt可增加晶闸管di/dt耐量，串并联时，较高的di_G/dt有利于各晶闸管导通一致。建议di_G/dt=0.2～1.0A/μs。

（2）脉冲幅度I_GLM 强触发脉冲幅度，即I_GLM=mI_GL，m为强触发倍数，I_GL为正常触发电源幅度。低频或工频变流电路中，I_GLM宽度为10～20μs；中高频电路中，I_GLM持续宽度为几个μs。

（3）脉冲宽度I_GL 在I_GLM后施加幅度为I_GL=（1～2）I_GT。

（4）脉宽τ 与电路结构、换流模式、负载和控制等有关。一般τ_min≥15μs，感性负载时τ≥100μs，常用脉宽为1ms，或用脉冲列触发。三相整流全控桥电路用宽裕60°或用相隔60°脉冲。

（5）触发信号 交流或直流脉冲，功率、幅度与陡度足够，一般要求实际脉冲电流幅度为器件最大触发电流的3～5倍，前沿陡度大于1A/μs。触发电路有电隔离、同步、移相等功能。为防止误触发，触发电路不发脉冲时应保持在0V或-1V左右。

（6）晶闸管串并联触发 晶闸管并联时应同时导通，各个器件di/dt在允许值范围内，需要强触发脉冲时，幅值为触发电流的3～5倍，脉冲前沿陡度1～2A/μs，上升沿后持续时间达600μs。

（7）可靠性 触发电路与主电路电隔离，专门设计脉冲变压器；防止主电路对触发电路产生干扰，可采用静电屏蔽、串联二极管、并联电容、光耦合等。

4.触发电路

按同步电压分，有正弦波同步、锯齿波同步、阻容移相桥、单结晶体管等。阻容移相桥、单结晶体管触发电路基本使用，正弦波同步受波形品质影响大，在减少使用；锯齿波同步触发电路移相控制线性好，输出脉冲对称性好，使用较多。