在不同类型的电路连接时，因为前一级电路的输出信号要符合后一级电路的输入要求，所以驱动门与负载门需从电压和电流两方面达到匹配，即必须同时满足四个条件：UOH（min）≥UIH（min），UOL（max）≤UIL（max），IOH（max）≥IIH，IOL（max）≥IIL。如表2.4.1所示给出TTL电路和CMOS电路在电源电压均为5 V的情况下，其输入/输出特性参数。

表2.4.1　TTL电路和CMOS电路的输入/输出特性参数

1.TTL电路驱动CMOS电路

当TTL电路驱动CMOS电路时，上述四个条件中有三个条件满足，但是不满足UOH（min）≥UIH（min）。

（1）当VDD＝VCC＝5 V时，在TTL门电路的输出端加上拉电阻RL来提升TTL的输出电位，见图2.4.4（a）。因为当TTL门电路的输出高电平时，其T5管截止，VDD→RL→GND不是通路，则RL两端等电位，所以TTL门电路的输出电位提高了。

图2.4.4　TTL驱动CMOS的电路

（2）当VCC＝5 V，VDD＝5～18 V，即VDD＞VCC时，常将TTL电路改用OC门输出，见图2.4.4（b）。因为当OC门输出高电平时，RL两端等电位，CMOS的输入电平等于VDD。

（3）采用专门的电平移位器进行连接，见图2.4.4（c）。

2.CMOS电路驱动TTL电路

（1）当VDD＝VCC＝5 V时，若只有一个负载门，CMOS电路可以直接驱动TTL电路。但是当负载门较多时，应采用以下方法：

① 同一芯片上的CMOS门并联使用，以增大CMOS电路输出的总电流，见图2.4.5（a）。

② 增加一级专用的驱动器，例如CC4049，见图2.4.5（b）。

③ 采用三极管电路驱动，见图2.4.5（c）。(www.daowen.com)

（2）当VDD＞VCC时，采用专门的电平移位器连接，即如图2.4.4（c）所示的方法解决。

图2.4.5　CMOS驱动TTL的电路

3.CMOS电路与TTL电路的比较

（1）TTL电路是电流控制器件，而CMOS电路是电压控制器件。

（2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短（5～10 ns）。CMOS电路的速度慢，传输延迟时间长（25～50 ns）。传输延迟时间是指从输入信号的变化到输出信号响应所需的时间。

（3）TTL电路的最高工作频率比CMOS电路的最高工作频率高，CMOS电路的最高工作频率一般低于10 MHz，而TTL电路的最高工作频率可达100 MHz以上。

（4）CMOS电路的电压工作范围大，可以在VDD＝3～18 V范围内正常工作。注意VDD越大，则输出的高电平越大。而TTL电路的工作电压一般为5 ～7 V。

（5）CMOS电路的逻辑摆幅大，电源利用率高。当VDD＝5 V时，逻辑摆幅＝UOH（min）－ UOL（max）＝4.95－0.05＝4.90（V），电源利用率为逻辑摆幅与电源电压之比，此时电源利用率接近1。

（6）CMOS电路的抗干扰能力强。当VDD＝5 V时，高电平噪声容限UNH和低电平噪声容限UNL均为1.45 V，比TTL电路（74LS系列）的噪声容限0.4 V大得多。

（7）CMOS电路的静态功耗低。静态功耗是指虽然CMOS电路加了电源电压，但未加输入信号时的电路功耗。例如，PC机断电后，CMOS RAM芯片由一块后备的锂电池供电，即使系统掉电其存储信息也不会丢失。CMOS RAM芯片存储的是关于系统配置的具体参数，其内容可通过设置程序进行读写。另外，COMS电路的动态功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，功耗越大，芯片越热。

（8）CMOS电路的扇出系数大，对负载的驱动能力小。TTL电路的扇出系数小，对负载的驱动能力大。注意扇出系数和对负载的驱动能力是两个不同的概念，前者是指电路带同类逻辑门的能力，后者是指提供给负载的电流大小。

（9）CMOS电路的温度稳定性好，这是因为CMOS管比晶体三极管的温度稳定性好。

（10）对多余输入端的处理。CMOS电路的输入端不允许悬空，因为悬空会使电位不定，破坏正常的逻辑关系。另外，悬空时输入阻抗高，易受外界噪声干扰，使电路产生误动作，而且也极易造成栅极感应静电而击穿。所以CMOS与门的多余输入端要接高电平，CMOS或门多余输入端要接低电平。若电路的工作速度不高，且功耗不需特别考虑时，则可以将多余输入端与使用端并联。而TTL电路的多余输入端悬空时相当于输入端接高电平，因为这时可以看作输入端接了一个无穷大的电阻。所以TTL与门的多余输入端悬空，TTL或门多余输入端要接地。