【摘要】：HVPE生长系统主要可以分为气体供给和控制系统,反应室,加热源和尾气排放系统。图1.5.6垂直式HVPE生长GaN示意图[21]MOCVD、MBE和HVPE氮化物外延生长技术各有优缺点,表1.5.1所示为这三种技术各自的优势和缺点。表1.5.1MOCVD、MBE和HVPE外延技术的优缺点图4.1.4拽（触电者）5）垫如果触电者躺在地上，可用木板等绝缘物插入触电者身下，以隔断电流。
HVPE是一种经典的常压化学气相淀积技术。1969年,Maruska和Tietjen改进了以往生长砷化镓(Ga As)和磷化铟(InP)的氢化物设备,制备出世界上第一个GaN单晶。这种方法生长速度快,可达每小时几十微米甚至百微米,并且其设备简单,成本低,非常适合生长厚膜Ga N衬底。HVPE生长系统主要可以分为气体供给和控制系统,反应室,加热源和尾气排放系统。反应室大致包括低温区和高温区两个加热温区。生长GaN时,高纯HCl气体伴随着载气进入源区的镓舟,与金属Ga发生化学反应形成气态GaCl和H 2,此反应发生在低温区,温度为850℃左右。GaCl气体与NH 3于高温区(温度约为1000℃)衬底附近再次发生化学反应生成GaN。HVPE系统的反应室结构主要分为水平式和垂直式两种,不论哪种结构,其工作原理大致相同。
图1.5.5 水平式HVPE生长GaN示意图[21]
(www.daowen.com)
图1.5.6 垂直式HVPE生长GaN示意图[21]
MOCVD、MBE和HVPE氮化物外延生长技术各有优缺点,表1.5.1所示为这三种技术各自的优势和缺点。实际的生产和科研工作要根据具体的需求选择合适的外延方法。
表1.5.1 MOCVD、MBE和HVPE外延技术的优缺点
免责声明：以上内容源自网络，版权归原作者所有，如有侵犯您的原创版权请告知，我们将尽快删除相关内容。
