1）在低压（0.1bar，1bar=10⁵Pa）或常压反应室内，用携带气体H₂带入金属有机化合物原材料及掺杂剂，如三钾基镓（TMGa）、三钾基铝（TMAl）、三钾基铟（TMIn）和氢化物（砷烷AsH₃、磷烷PH₃）等，使该混合气体进入到冷壁石英反应器中，在一定温度条件下发生化学反应，反应为一非平衡状态下成长机制，生成GaAs、GaInP、AinP等Ⅲ-Ⅴ族化合物，沉积到加热的GaAs或Ge衬底表面，生长成所需的单晶外延层。N型掺杂剂多为Sn、Te、Si等Ⅳ族或Ⅵ族元素，P型掺杂剂多为Zn、Mg等Ⅱ族元素。

2）MOCVD生长温度低、碳沾污少、纯度高、浓度分布陡峭，便于超薄生长。外延片表面光亮，各层的厚度均匀，浓度可控，因而产品光电转换效率高，成品率高。用MOCVD技术容易实现异质外延生长，可生长出各种复杂的太阳电池结构，因而有潜力获得更高的太阳电池转换效率。在同一次MOCVD生长过程中，只需通过气源的变换，便可以生长出不同成分的多层复杂结构，增大了电池设计的灵活性，并可一炉多片。

3）MOCVD技术的设备和气源材料价格昂贵，技术复杂。使用的各种气源，包括各种金属有机化合物以及氢化物（砷烷AsH₃、磷烷PH₃等）都是剧毒气体，因而MOCVD具有一定的危险性。MOCVD生长系统要求有严格的气密性，以防止这些剧毒气体泄漏，同时避免系统被漏进的氧和水汽等污染。(www.daowen.com)

4）MOCVD的生长参数包括气体压力、气体流速、Ⅴ／Ⅲ气体比率、生长温度以及GaAs或Ge衬底的晶体取向等。成长速率和性质成分、晶相会受到温度、压力、反应物种类、反应物浓度、反应时间、衬底种类、表面性质等因素的影响。温度、压力、反应物种类、反应物浓度等重要的制程参数需经由热力学分析计算，再经修正即可得知。反应气体在衬底表面的扩散传输、化学反应、衬底的吸附、固态生成物成核与成长、气态生成物的脱附等微观的动力学过程对制备亦有不可忽视的影响，其中速率最慢者即为反应速率控制要点，也是决定沉积膜组织形态与各种性质的关键所在。