砷化镓（GaAs）属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，其能隙为1.4eV，处于吸收太阳光较多的最佳值，因此是很理想的电池材料。Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料是继锗和硅材料以后发展起来的半导体材料，种类繁多，其中最主要的是GaAs基系Ⅲ-Ⅴ族化合物，其次为磷化铟（InP）和相关化合物组成的InP基系Ⅲ-V族化合物。这几年，薄膜太阳电池发展很快，采用3元和4元Ⅲ-Ⅴ族化合物作为各个子电池材料，如GaInP、AlGaAs、GaInNAs等材料，从而把GaAs和InP两个基系结合在一起了。GaAs太阳电池的大步发展源于德国，1998年德国费莱堡太阳能系统研究所制得的GaAs太阳电池转换效率为24.2％，该研究所进一步采用堆叠结构制备GaAs、Gasb电池，将两个独立的电池堆叠在一起，GaAs作为上电池，下电池用的是Gasb，所得到的电池效率达到31.1％，从此，多结电池占据了薄膜太阳电池的领军位置。2010年10月6日，美国Spire半导体公司宣布，该公司研发的三结GaAs太阳电池峰值效率达到了42.3％，聚光条件相当于406个太阳。制备GaAs等Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜电池主要采用MOCVD（金属有机化学气相外延）技术，在克服了GaAs薄膜电池受衬底位错、反应压力、Ⅲ-Ⅴ比率、总流量等诸多参数的影响后，MOCVD技术得到了长足发展。GaAs薄膜太阳电池具有抗辐射的特性，热能对它的影响不大，因此轻易地取代了硅太阳电池，在太空运用中成为独秀。2011年9月27日我国发射的首个空间实验室“天宫”一号，采用的就是三结GaAs太阳电池。(www.daowen.com)