理论教育 了解Ostwald熟化过程

了解Ostwald熟化过程

时间:2023-06-22 理论教育 版权反馈
【摘要】:1958—1961年,Lifshiz、Slyozov和Wangner将Ostwald提出的小颗粒溶解和大颗粒长大机理引入固体材料中,并用数学模型做理论化处理。颗粒的这种粗化过程常称为Ostwald熟化。1938年,Ostwald的这个发现被用于解释W-Cu-Ni和W-Ni高比重合金的大颗粒生长。后来,Ostwald熟化或颗粒溶解析出长大成了液相烧结的一种重要机制。图10.35纳米Pt在SiO2基底的Ostwald熟化图10.35为纳米Pt在SiO2基底沉积后于650℃下进行烧结时,在透射电镜下显示的Ostwald熟化。Ostwald熟化不仅出现在有液相的体系中,在固溶体中也存在。

了解Ostwald熟化过程

1896年,物理化学的奠基人Friedrich Wilhelm Ostwald(1853—1932年)首先系统地研究了颗粒粒度对颗粒在液相中的溶解度的影响。他发现小晶粒在液相中溶解,然后在大晶粒表面沉积。这可根据式(10-3)所示的开尔文公式得到解释。将式(10-3)中的蒸气压pr、p分别换为溶解度Sr、S后有以下关系:

式中,Sr为半径为r的颗粒溶解度;S为普通大颗粒的溶解度(在一定温度等条件下,一般为常数);r为颗粒粒径。由此可见,颗粒小(r小),则其溶解度Sr大,而大颗粒的溶解度小。小颗粒溶解后,通过传质达到大颗粒表面。大颗粒表面处,因溶解度小,物质易达到过饱和而析出,进而使大颗粒变大、粗化。颗粒的这种粗化过程常称为Ostwald熟化(Ostwald Ripening)。1938年,Ostwald的这个发现被用于解释W-Cu-Ni和W-Ni高比重合金的大颗粒生长。

后来,Ostwald熟化或颗粒溶解析出长大成了液相烧结的一种重要机制。这就是我们在10.5.1节提到的溶解-析出过程。1959年,Kingery指出粉末在烧结过程中有少量液相时,固相颗粒的接触区有较高的应力,这种应力使接触区物质的溶解度高于其他地方而首先溶解。然后,溶解的物质扩散到其他溶解度低的区域(如粉末除接触区外的其他地方)而沉积下来,从而使接触面平直化。这可由以下的实验数据得到证实:将直径在200~250μm间的单晶W球(大颗粒)、10μm的W粉(小颗粒)和更细的Ni粉(产生液相)以不同比例均匀混合后,在1670℃松散烧结。结果表明,若烧结过程中,粉末系统出现的液相量适当,没有经过压制的松散粉末仍能获得完全的致密化,同时伴随有小W颗粒的溶解和大W颗粒的生长。而且,液相量较少时,晶粒形状的变化总是从颗粒接触区开始,并发展成平直化的晶界。

1958—1961年,Lifshiz、Slyozov和Wangner将Ostwald提出的小颗粒溶解和大颗粒长大机理引入固体材料中,并用数学模型做理论化处理。粗化后的颗粒尺寸与式(10-70)相似:

式中,K5为常数;R0为初始粗颗粒的尺寸;Rt为t时刻时粗颗粒的尺寸。式(10-93)称为Lifshiz-Slyozov-Wangner方程(简称LSW方程)。许多有液相的烧结系统,其数据与式(10-93)相符。比如UO2-Al2O3有少量共晶液相存在时的烧结、W-Cu-Ni及TiC、HfC、TaC等碳化物以Co作液相时的烧结。

图10.35 纳米Pt在SiO2基底的Ostwald熟化(箭头分别指示了相应粒子的长大和消失)(引自Simonsen,2011)

图10.35为纳米Pt在SiO2基底沉积后于650℃下进行烧结时,在透射电镜下显示的Ostwald熟化。Ostwald熟化不仅出现在有液相的体系中,在固溶体中也存在。在9.6.3节,我们介绍了材料的脱溶沉淀,即第二相(β相)从过饱和固溶体α相中沉淀析出,并在基体α′相中弥散分布。该过程的反应式α—→β+α′。理论上,β相为平衡相。但由于β相的颗粒大小不同而无法达到真正的平衡。

设β相为球形颗粒,则其球形界面使粒子的自由能化学势升高。球形界面产生的附加压强可由Laplace方程Δp=2γ/r求出。大颗粒(曲率半径r1)和小颗粒(曲率半径r2)之间的化学势可写作:

其中γ为界面能,Vm为摩尔体积。以上Δμ正是溶质原子从小颗粒向大颗粒扩散而造成粗化(或Ostwald熟化)的驱动力。通过粗化,界面面积减小,进而界面能下降。大、小颗粒的尺寸相差越大,驱动力也越大。

Ostwald熟化的驱动力还可从浓度的角度来分析。将固溶体系统近似当作稀溶液,则其中某个组元在大颗粒1界面处的化学势μ1为(www.daowen.com)

其中为标态化学势,R为摩尔气体常数,c1为组元在颗粒1中的浓度。同样一个组元在另一个小颗粒2界面处的化学势也有与式(10-95)类似的表达式。则该组元在这两个颗粒之间的化学势差为

对稀溶液而言,因为(c2-c1)与c1相比很小,故(c2-c1)/c1也很小。我们利用ln(1+x)≈x(x很小)后,式(10-96)可近似为

合并式(10-94)和式(10-97),整理得基体相中小颗粒附近与大颗粒附近的浓度差为

设大颗粒的半径r1→∞,其界面附近的溶质浓度c1=c(∞);小颗粒的半径r2=r,其界面附近的溶质浓度c2=c(r),则式(10-98)变为

图10.36 不同大小的第二相颗粒β相的Ostwald熟化示意图(这是一个A、B组元构成的二元系统。固溶体α和β分别是富A和富B相。图的上部分示意了随着大颗粒到小颗粒距离的增大,溶质B的浓度变化情况)(引自Mittemeijer,2013)

由上述可见,颗粒半径r越小,其表面附近的溶质浓度或固溶度越大,化学势也升高越多。这种因界面曲率半径减小而引起的自由能升高、溶解度增大,甚至熔点下降等现象称为Gibbs-Thomson效应(Gibbs-Thomson effects)。在纳米级颗粒中,这种效应尤为显著。因此,当过饱和固溶体析出大小不等的第二相(β相)粒子时,由于Gibbs-Thomson效应,在大颗粒β相与小颗粒β相之间的基体中,溶质(B组分)存在一定的浓度梯度。在此浓度梯度的作用下,溶质从β相的小颗粒流向β相的大颗粒。结果,β相小颗粒变得更小,甚至消失。也就是说,较大的β相颗粒通过消耗小颗粒β相而长大,发生粗化,即Ostwald熟化。

图10.36示意了沉淀颗粒之间的溶质浓度变化。在固溶体的脱溶沉淀中,主要是第二相粒子发生粗化,故这种情形中的Ostwald熟化也叫第二相粒子粗化。粗化后的尺寸可用式(10-93)所示的LSW方程得到。

通过对本章及前面章节的学习,读者可能已经了解到烧结、晶粒生长、相变与相平衡对材料显微结构的影响。在9.1.3节,我们介绍了材料的显微结构有晶粒、晶界、相、缺陷(如裂纹、气孔)等。这还不能完全表达显微结构的特征。材料显微结构的特征通常还包括材料所含空隙的大小、数目;每一个晶粒的相对数量、大小、形状和取向。前面章节未涉及晶粒取向。若材料中的晶粒取向具有一定的规律性或择优分布,则构成显微结构的一种特殊形式——织构。

免责声明:以上内容源自网络,版权归原作者所有,如有侵犯您的原创版权请告知,我们将尽快删除相关内容。

我要反馈