比如，将图8.30中L1点系统的材料放在水平管式炉中（图8.31）熔化。管外绕着可移动的加热环。开始时，加热环在最左端。因此，最左端的材料首先熔化成液体。随后，加热环缓慢地向右端移动。这样，熔化区也缓慢地向右端移动。随着熔化区向右端移动，左端早先熔化的材料，因温度逐渐降低（比如降至T2）而凝固结晶。而在再结晶的固体中，含有较多高熔点成分的物质（图8.30中，α2或点的组成比同温度液相含有较多的Ni）。这是由于在熔化、再凝固过程中，液相、固相中的成分不断调整并重新分布的缘故。

图8.31　区域熔炼示意图（引自傅献彩，1979）(www.daowen.com)

经过以上熔化、再凝固的材料比处理前含有较多高熔点的成分。在图8.31中，处理后的材料在左端含有较多高熔点成分，而右端含有较多低熔点成分。加热环就像“扫把”一样，将低熔点成分“扫”到右边、高熔点成分“扫”到左边。多次重复这个过程可获得极纯的材料。该方法称为区域熔炼。

区域熔炼曾为半导体的出现立下过汗马功劳。材料中的杂质会严重影响半导体的性能。故要获得半导体，材料的纯度有非常高的要求。在发明半导体的过程中，Willianm Shockley（1910—1989年）就曾因Ge的纯度不够而产生抱怨。不久之后，Bell实验室的一位技术员Willianm Pfann（1917—1982年）在一次休息时，偶然间意识到通过熔融再重复结晶的方法可带走杂质。这就是后来称作的区域熔炼。人们曾经利用这种方法获得了高纯Si、Ge（纯度达99.999999%以上）。区域熔炼随后成为制备半导体的一个基本工艺。Pfann也因发明了区域熔炼而著名。然而，该方法不适合制备直径太大的半导体。今天，半导体生产已不采用区域熔炼，而是通过气相中间化合物精炼Si的方法。气相精炼法可使Si中杂质分数降至10-12。

但区域熔炼还是可用于其他高纯材料的生产，如高纯Fe、Be。高纯Fe有良好的延展性、抗氧化性和超导性。高纯Be可弯曲自如，且不容易折断。区域熔炼也可用于聚合物材料的提纯。总之，区域熔炼为高纯材料的制备提供了一种有效的方法。