为了描述晶体中的点缺陷，并研究它们之间的作用，人们采用一定的符号对其进行表示。表示点缺陷的方法很多，但最受欢迎的还是F.A.Kröger和H.J.Vink提出的符号。该符号的基本形式为，D表示缺陷的种类，s为缺陷所在位置，z为缺陷所带电荷。缺陷带一个单位正电荷用一个“·”表示，一个单位负电荷用一个“′”表示，以此类推。不带电用“×”表示，也可空着。下面用离子晶体MX为例说明点缺陷符号的意义，设M为+2价，X为-2价。

1.电子和电子空穴

如果电子、电子空穴不局限于一个特定位置，其表示方法：电子用“e′”表示；缺少一个电子即电子空穴用“h·”表示。而如果电子、电子空穴只局限在一个特定位置，如空位，则用带电的空位来表示。

2.空位（vacancy）

M、X原子不带电，从晶格中去掉一个原子，留下的空位也不带电，故原子空位的符号为或VM，VX。V为vacancy的首字母。

如果从正常晶格中去掉一个离子，则会在空位上留下一定的电荷。比如，从正常晶格中去掉一个M2+，则会在原来位置上留下2个电子，即空位带有两个单位负电荷。实际由空位与束缚在该空位上的电子复合而成，写作=VM+2 e′。同理，去掉一个X2-，则同时带走2个电子，空位带有两个单位正电荷。负离子空位少了电子，产生电子空穴，电子空穴也束缚在该空位上，故可写作=VX+2h·。

3.间隙缺陷

不在正常格点上的原子或离子为间隙原子（interstitial atom）或间隙离子（interstitial anion）。M2+和X2-进入间隙位，把相应的电荷也带入该处，符号为、。右下标的i表示缺陷在间隙位，是interstitial的首字母。比如，理想的MgO晶体中，四面体空隙全空，Mg2+、O2-进入四面体空隙就成了间隙离子、。同样，外来离子进入间隙位，也同样如此表示：Al3+进入MgO晶体中的间隙位。

当然，间隙位的原子是不带电的，则表示为或Mi，Xi。在离子晶体的点缺陷研究中，与空位的情况相似，人们常常把它们当作离子来处理。而在金属固溶体中，则常以原子及其空位来对待点缺陷，这一点需要注意。

4.错位缺陷(www.daowen.com)

M2+占据X2-的位置而形成的缺陷称作错位缺陷。X2-的空位为，电价+2价，M2+进入该空位后形成的错位缺陷，其电荷为+4价，表示为，或X2-占据M2+的位置，而成为。这种情况会使系统的能量增加较多，不是很稳定，故通常对这种情况不做讨论。

5.杂质置换缺陷

外来杂质离子如L3+占据正常点阵位置，分别取代M2+或X2-，即占据它们的空位、。L3+是+3价，M2+空位为-2价，复合后表示为。比如，Mg2+取代Al2O3中的Al3+，表示为。

不同电性的离子取代会使系统不稳定，为使系统稳定，故一般是阳离子取代阳离子，阴离子取代阴离子。

6.缔合中心

一个带电点缺陷与另一个带相反电荷的点缺陷缔合成一组或一群，形成缔合中心，如（）、（）。NaCl晶体中，最近邻的钠空位与氯空位可能缔合成空位对（）。

以上这些晶格中的点缺陷，破坏了原有原子（离子）间的作用力平衡，引起周期性势场的改变。这会使点缺陷周围的原子（离子）做微量位移，产生晶格畸变（图4.1）。

图4.1　点缺陷及其引起的一些晶格畸变示意图（引自刘培生，2010）