有了坐标系，就可以建立晶体符号了。晶体符号包括晶面符号、晶棱符号等。在建立晶面符号之前有必要了解一下晶面形成的规律。根据空间格子的建立，我们知道空间格子和晶体结构中有无穷多的面网和晶面。那么，在外观上显露出的平整晶面是任意的吗？从Haüy提出的有理数截距定律来看，宏观上显露在外的晶面应该是有规律可循。

在研究晶体外观特性、内部构造的同时，有些学者也在研究晶体的生长。他们通常把在单位时间内，垂直于晶面向晶体外推移的距离称为晶体的生长速度。Bravais在对此做了研究后提出：实际晶体往往被面网密度大的晶面所包围，这称为布拉维法则（law of Bravais）。

图2.31　面网密度小的晶面优先生长示意图(www.daowen.com)

图2.31为一晶体空间格子的切面。AB、BC、CD分别为三个垂直于纸面的晶面面网。设竖直、水平方向的结点间距分别为a、b，且a＞b。因面网间距大，面网密度也大，故AB、BC、CD三个晶面面网密度的大小关系为AB＞CD＞BC。新质点不断黏附在不同晶面面网上，使面网往其法线方向移动，进而产生晶体生长。新质点容易黏附在哪里，取决于所处位置的质点对它的引力大小和能量高低。引力大小与质点数目和质点间的距离有关。一般地，新质点与面网上的质点距离小，且面网上这类质点的数量多，则新质点受到的引力大而易被吸附。角、棱处的能量相对较高（即产生黏附过程越过的能垒ΔG低）；面位置的能量较低，能垒ΔG大。故新质点往往容易被黏附在与面网质点距离小、数量多的角，其次是棱，最后是面。从二维面上看，图2.31中1、2、3都在角位置，能量较高，新质点都易于黏附在此。但与1位置最近的两个点的距离为a、b；与2位置最近的两个点的距离为、b；与3位置最近的两个点的距离为a、。可见，1位置的新质点与面网上已有质点的距离最近，容易首先黏附在这里，结果导致BC面往其法线方向移动（请注意，此处说的不容易黏附，不等于不能黏附）。因此，这三个面最容易往其法线方向移动的是BC，其次是CD，向法线方向移动最慢的是AB。朝面网法线方向的移动使BC面减小，直至消失，如图2.31（b）～（d）所示。以上情况说明：生长最快的晶面，容易消失；而生长最慢的，即面网密度大的晶面保留下来了，这就是布拉维法则论述的内容。自然界同种晶体之间，大晶体的晶面一般数量少且简单，而小晶体则晶面多而复杂即是布拉维法则的体现。

然而，布拉维法则未考虑环境（如温度、压力、组分浓度、杂质、介质涡流等）等因素对晶体生长的影响，所以实际晶体有偏离布拉维法则的现象。甚至在有些情况下，消失的晶面会重新长出来，而且生长快的晶面不一定会消失。因此，后来有人对该法则做了修正，提出了唐纳-哈克原理（Donnay-Harker law）和吉布斯-居里-吴里夫定理（Gibbs-Curie-Wulff theorem）。不过，就总的定性趋势来看，布拉维法则仍是有效的。

在布拉维法则提出前很久，Haüy就已根据晶体外形（后来称作晶面）总结出了有理数截距定律或整数定律（见2.3节）。那整数定律是否能用空间格子理论加以证明呢？