【摘要】：InAs／AlSbHEMT 制作的低噪声放大器功耗在常温下低于1mW，在低温下器件性能提升，那么低噪声放大器的功耗会更低。InAs／AlSb HEMT 器件在低温情况下，由于声子散射的影响降低，使得电子迁移率提高，HEMT 器件电学性能提升。研究发现，InAs／AlSbHEMT器件非常适合低温下，低噪声放大器以及开关电路工作。本节内容就针对InAs／AlSbHEMT 器件在低温下的性能参数进行仿真和讨论。
InAs／AlSbHEMT 器件在低温下载流子会出现freeze-out现象，使得器件在低温下电学性能提升，所以InAs／AlSbHEMT 器件很适合低温应用领域。InAs／AlSbHEMT 制作的低噪声放大器功耗在常温下低于1mW，在低温下器件性能提升，那么低噪声放大器的功耗会更低。InAs／AlSb HEMT 器件在低温情况下，由于声子散射的影响降低，使得电子迁移率提高，HEMT 器件电学性能提升。但是InAs／AlSb HEMT 器件低温应用的研究起步较晚，在2009年，G.Moschetti等人首次对HEMT 器件的低温特性进行研究并报道，测试发现110nm 沟道长度HEMT 器件，300K 时，当VDS取0.3V，跨导峰值是950mS／mm，而低温30K 时，跨导峰值上升到1280 mS／mm，并且器件的漏电流也降低，且低温6K时截止频率比300K截止频率增大很多。之后很多科研工作者，如BobYintatMa等人研究了低损耗开关，G.Moschetti等人研究了InAs／AlSbHEMT 基的混合宽带低噪声放大器，以及三级放大器等。研究发现，InAs／AlSbHEMT器件非常适合低温下，低噪声放大器以及开关电路工作。本节内容就针对InAs／AlSbHEMT 器件在低温下的性能参数进行仿真和讨论。(www.daowen.com)
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