液晶光学相控阵阵列电极区域取向处理主要是为了使封盒后液晶分子沿面排列。最开始采用斜蒸SiO取向的方法，而后又采用聚酰亚胺摩擦法。

斜蒸SiO取向原理：斜蒸SiO取向要求蒸镀SiO时蒸发束流与基片平面存在一定角度的倾斜，如图6.16所示，才能使液晶分子排布满足一定的要求。

实验证明，液晶分子排列的预倾角θ与SiO的蒸发角α有密切的关系，关系如图6.17所示，当蒸发角α在3°～16°时，液晶分子对基片表面的预倾角θ为28°～20.5°；当蒸发角α在26°～40°时，液晶与基片表面平行，预倾角为0°。蒸发角若不同于上述角度，则不能得到液晶的定向排列。

图6.16　蒸发角度的定义

图6.17　预倾角θ与蒸发角α的关系

液晶分子的预倾角θ与淀积膜厚度d之间也存在关系。如图6.18所示，当蒸发角α确定时，淀积膜的厚度也是决定预倾角大小的一个因素。许多样品表明，不论斜蒸角度为多少，只要膜厚大于80Å，就能获得液晶分子指向矢稳定的定向排列；而当膜厚小于60Å时，制成的样品的分子取向是紊乱的。

图6.18　预倾角θ与膜厚d的关系

斜蒸SiO取向所形成的沟槽与蒸发速率也有密切关系。蒸发速率要控制在一定范围内才会形成比较成型的沟槽，蒸发速率过慢或过快都不适宜。因此液晶光学相控阵阵列电极区域斜蒸SiO取向必须综合考虑斜蒸角度、淀积的厚度、蒸发速率三个方面的因素。

制备流程如下：

（1）将待取向的基片装入夹具（夹具有一定厚度，开口面积过小会使一部分阵列电极区域斜蒸不到，夹具的开口面积应稍大于阵列电极区域的面积），然后固定于基片架上；根据设计要求，要取得液晶分子预倾角为零，则必须使预倾角在26°～40°变化，取蒸发角为30°，调节夹具位置，使之满足该角度。(www.daowen.com)

（2）当真空度达到3×10－3Pa，衬底温度达到180℃时，打开蒸发挡板，对基底进行蒸镀，调节束流控制蒸发速率。

（3）通过膜厚计检测蒸镀SiO的速率，控制蒸发速率为80Å／s左右。

（4）膜厚达到2 000Å后关闭挡板，关闭加热器、膜厚计和高真空阀。

（5）待冷却后取出基板，收入防尘盒中。

实验中先蒸镀一批样片，将样片封成液晶盒，置于平行偏光显微镜下观察并旋转液晶盒。若成功取向，则当液晶取向方向与偏光片透光轴垂直时可以看到较黑的暗态；旋转液晶盒，使液晶取向方向与偏光片透光轴平行时可以看到较亮的亮态。亮、暗两个状态的对比度较高。同时，在偏光显微镜下可以看到蒸镀SiO层的均匀性较好，致密程度也较高，证明镀膜质量也较好。待样片获得稳定的取向效果后，即可按照同样的参数对刻有光栅阵列电极图案的基片进行蒸镀。由于采用蒸镀SiO法进行取向的液晶盒放置一段时间后会产生气泡，严重影响器件的使用，又采用了传统的聚酰亚胺摩擦法进行取向。

聚酰亚胺摩擦法的基本流程如下：

（1）使用超声清洗机对ITO玻璃进行清洗。

（2）在干燥箱中对洗净的ITO玻璃进行干燥。

（3）在匀胶机中在ITO玻璃表面均匀覆上一层PI薄膜。

（4）将匀胶后的ITO玻璃放入烘箱中进行烘干固化。

（5）将PI固化后的ITO玻璃放在摩擦机上进行摩擦取向处理。

（6）存好样片，准备封盒。