晶体管的参数可用来表征其性能的优劣和适用范围，也是设计电路、选用晶体管的主要依据。

1.电流放大系数，β

直流电流放大系数β：当晶体管接成共射极电路时，在静态（无交流输入信号）时集电极电流IC（输出电流）与基极电流IB（输入电流）的比值称为直流电流放大系数：

交流电流放大系数β：当晶体管工作在动态（有交流输入信号）时，基极电流的变化量为ΔiB，引起集电极电流的变化量为ΔiC。ΔiC 与ΔiB 的比值称为交流电流放大系数：

交流电流放大系数β 在手册中常用hfe来表示。在数值上直流电流放大系数与交流电流放大系数β 相差不大，因此在应用时一般不予区分，均用β 表示。

电流放大系数是衡量晶体管电流放大能力的重要指标，在具体的放大电路中，根据不同的性能指标，对晶体管的β 值往往有不同的要求。一般来说，在工程应用中β 值太大则稳定性差；β 值太小则电流放大能力不满足要求，通常认为β 在40～100是较合适的。

2.反向电流

晶体管的极间反向电流是反映其质量的指标，极间反向电流越小，晶体管质量越高。因反向电流直接影响电子线路工作的稳定性和高温下的工作性能。所以在工程应用中需要考虑以下两个反向电流：(www.daowen.com)

（1）集电极-基极间反向饱和电流ICBO，是指在发射极开路（iE＝0）时，集电区和基区的少数载流子，在集电结反偏电压作用下漂移而形成的反向电流。它与二极管中的反向饱和电流ISR在本质上是相同的。ICBO的值很小，在室温下，小功率硅管约几微安，锗管约为几十微安。但其受温度影响很大，是晶体管工作不稳定的主要因素。

（2）集电极-发射极间穿透电流ICEO，是指基极开路（iB＝0）时，集电极与发射极之间的反向电流，用ICEO表示，受温度影响更严重，因而对晶体管的工作影响更大。

3.集电极最大允许耗散功率PCM

由于集电极电流流过集电结时会消耗功率而产生热量，使晶体管的结温升高，从而会引起管子参数变化。当晶体管因受热引起的参数变化不超过允许值时，集电极所消耗的最大功率，称为集电极最大允许耗散功率PCM。

PCM主要受结温的限制，因此它与环境温度有关，环境温度低，散热条件好时，其允许的最大集电极功耗可得到较大的提高。

通常锗管允许结温70～90 ℃，硅管约为150 ℃。

根据晶体管的PCM值，由

PCM＝ICUCE

可在晶体管的输出特性曲线上作出PCM曲线，如图5-40所示，PCM曲线以下区域为安全工作区。对于大功率晶体管，在使用中必须加装散热片，以防过热而烧毁。