晶体管必须满足一定的偏置条件，才能有电流放大作用。图5-37电路是以NPN 型硅晶体管接成共射形式（基极回路和集电极回路以发射极作为公共端）的示意图。

图5-37　NPN 晶体管共射电路示意图

晶体管的外部偏置条件是：电压源VBB通过电阻RB 给发射结提供正向电压，使发射结正向偏置；而电压源VCC通过电阻RC 加到集电极，使集电结处于反向偏置（VCC＞VBB）。在这种外部条件下，晶体管内的载流子在外电场作用下产生定向运动，形成图中箭头方向所示的基极电流IB，集电极电流IC 和发射极电流IE。

图5-37b所示各极电流为

式中，IBN、ICN、IEN为多数载流子形成的各极电流的主要部分，ICBO和ICEO为少数载流子反向漂移形成的电流，其数值很小。ICBO 称为集电结的反向饱和电流，ICEO为穿透电流。

基极电流IB、集电极电流IC 及发射极电流IE 之间的关系为

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由于基区很薄，杂质浓度极低，故IBN所占比例很小，用表示这个比例关系，即

则

式中

如果将基极电流IB 作为输入电流，集电极电流IC 作为输出电流，则表示了晶体管的电流放大作用，称为电流放大系数。

对于PNP型晶体管，外部电压源极性相反，注入载流子为空穴，实际电流方向相反，分析方法相似。