理论教育 半导体二极管的工作原理和应用

半导体二极管的工作原理和应用

时间:2023-06-20 理论教育 版权反馈
【摘要】:将PN 结加上相应的电极引线和管壳封装,就成为半导体二极管。由于二极管正向导通电阻极小,所以在使用时必须外加限流电阻,以免增加正向电压u 时,电流急剧增大而烧坏二极管。电击穿是可逆的,只要反向电压降低后,二极管仍可恢复正常。因此,在使用二极管时,应避免反向电压超过击穿电压,防止损坏二极管。例5-1 在如图5-11a所示电路中,二极管为理想二极管。

半导体二极管的工作原理和应用

将PN 结加上相应的电极引线和管壳封装,就成为半导体二极管(简称二极管)。二极管通常有点接触型和面接触型两种,如图5-8a、b所示,接在P区的引出线称阳极A,接在N 区的引出线称阴极K。二极管文字符号为VD,图形符号如图5-8c所示。箭头方向表示正向电流方向。

图5-8 二极管的结构及图形符号

1.二极管的伏安特性

二极管的电流i与其管压降u 的关系(i=f(u))曲线,称为二极管的伏安特性曲线,可用实验方法测得,或用图示仪测之。在直角坐标系中横坐标轴表示二极管管压降u(V),纵坐标轴表示其电流i(mA/μA),如图5-9所示。图5-9a为硅二极管2CP10的伏安特性,图5-9b为锗二极管2AF15的伏安特性。

图5-9 二极管的伏安特性

从伏安特性曲线上可得出如下特征:

(1)正向特性

二极管正向偏置,曲线位于第一象限。它又可分为两段:从坐标原点o 到a点为第一段,二极管外加正向电压较小,外部电场不足以克服内电场对多数载流子扩散运动造成的阻力,此时正向电流很小,呈现电阻较大。这段区域称为“死区”。对应a 点的门坎电压Uon称为“死区电压”,其数值大小随二极管的结构、材料不同而异,并受环境温度影响。一般来说,硅二极管“死区电压”约为0.5V,锗二极管约为0.1V。

正向电压超过门坎电压Uon后,随着正向电压的增加,内电场大大削弱,有利于多子的扩散,电流基本满足伏安方程式(5-1),按指数规律迅速增长。

式中,UT 为温度电压当量,在常温情况下,UT=26 mV;ISR 为反向饱和电流(nA);i为流过二极管的电流(mA);u 为加在二极管两端的电压(V)。

二极管承受正向电压时,通常u≫26mV,有exp(u/UT)≫1,则

这就是二极管电流随正向电压按指数上升的规律,对应于曲线中的ab 段,称为非线性区;当加在二极管两端的电压进一步增加时,多子的扩散进一步增强,正向电流增大,几乎呈线性规律上升,如曲线的bc 段,称为线性区。在线性区,二极管的正向电压在小范围内变化时,其电流变化很大,呈现出很小的正向电阻,或者说二极管工作在该区域时,其端电压几乎不变。通常硅管压降变化为0.6~0.8V;锗管为0.2~0.3V。当环境温度变化时,在室温附近,温度每升高1℃,二极管的正向压降减小2~2.5mV。由于二极管正向导通电阻极小,所以在使用时必须外加限流电阻,以免增加正向电压u 时,电流急剧增大而烧坏二极管。

(2)反向特性

二极管反向偏置,曲线位于第三象限。此时,漂移运动起主要作用,当反向电压在一定范围内变化时,反向电流几乎不变,称为反向饱和电流,即曲线的od 段。

在式(5-1)中,u 为负值,若|u|≫26mV,有exp(u/UT)≈0,则

式(5-3)中ISR即为反向饱和电流值,负号表明二极管的电流为反方向。典型值硅管约为纳安(nA 即10-9A)量级;锗管为微安(μA 即10-6A)量级。随着温度升高,反向饱和电流明显增加。

当反向电压超过一定数值后(如d 点电压UBR),反向电流急剧增大,这时二极管被反向击穿,对应的电压称为反向击穿电压。

反向击穿有电击穿和热击穿。电击穿是可逆的,只要反向电压降低后,二极管仍可恢复正常。但是,电击穿时如果没有适当的限流措施,就会因电流大、电压高,使二极管过热造成永久性损坏,叫作热击穿。电击穿往往为人们利用(如稳压管),而热击穿必须避免。因此,在使用二极管时,应避免反向电压超过击穿电压,防止损坏二极管。

2.二极管的主要参数

二极管的特性可以用相应的参数来说明,主要参数有:

(1)最大整流电流IFM,指管子长期工作时,允许通过的最大正向平均电流。当电流超过允许值时,将由于PN 结的过热(热击穿),而使管子损坏。

(2)反向电流ISR,又称为反向饱和电流,指在一定环境温度条件下,二极管承受反向工作电压又没有反向击穿时,其反向电流的值。它的值愈小,表明二极管的单向导电特性愈好。温度对反向电流影响较大,经验值是,温度每升高10 ℃,反向电流约增大一倍。使用时应加以注意。(www.daowen.com)

(3)反向工作峰值电压URM,指管子运行时允许承受的最大反向电压。通常取反向击穿电压UBR的1/2至2/3。

3.理想二极管

由图5-9二极管的伏安特性曲线可见,由于二极管正向导通时电压变化很小,而反向截止时,电流很小,对于所分析的电路来说,将它们忽略时,产生的误差很小。故通常可用理想二极管的特性代替二极管的伏安特性,如图5-10所示。所谓理想二极管可表示为:正偏时,i>0,u=0,相当于短路;反偏时,u<0,i=0,相当于开路。

图5-10 理想二极管的特性曲线

4.二极管应用举例

二极管的应用范围很广,主要是利用它的单向导电特性。可用来进行整流、限幅、检波、钳位、元件保护及在数字电路中作为开关元件等。

(1)整流电路。利用半导体的单向导电性,可以将大小和方向都变化的正弦交流电变成单向脉动的直流电,称为整流,完成整流功能的电路称为整流电路。常用的有单相桥式、单相半波、单相全波等整流电路(具体内容将在5.2中详细介绍)。

(2)限幅电路。在电子电路中,为了降低信号的幅度以满足电路工作的需要,或为了保护某些器件不受大的信号电压作用而损坏,利用二极管来限制信号的幅度,称为限幅。

例5-1 在如图5-11a所示电路中,二极管为理想二极管。设输入电压为ui=10sinωt,E=5V。试画出输出电压uo 的波形。

图5-11 例5-1图

解 当ui>E 时,二极管VD 处于正向偏置而导通,相当于短路,输出电压uo=E=5V;当ui<E 时,二极管处于反向偏置而截止,相当于开路,输出电压等于输入电压:uo=ui。输出电压波形如图5-11b所示。由图可见,输出波形被限制在E 值以下。

利用这个简单的限幅电路,可以将输入电压的幅度加以限制,限幅电路又称为削波电路。将电路稍加变化,还可以得到双向限幅等各种不同的限幅应用。

(3)检波电路。检波电路的构成和工作原理与整流电路相似(整流电路也可作为检波电路),即可提取输入信号中的某一部分,如单相半波整流电路,提取了波形中为正的部分。

例5-2 图5-12a中的R 和C 构成一微分电路。当输入电压ui 如图5-12b中所示时,试画出输出电压uo 的波形。设uC(0)=0。

图5-12 例5-2图

解 在t=0瞬间,输入电压由0跃变为U,而电容电压不能跃变,故uR 跃变为U。随后电容很快被充电至U,极性如图中所示,uR 也随之下降到0,即UR 为一正尖脉冲,二极管截止,这时uo 为0。

在t1 瞬间,ui 由U 下降到0,电容电压不能跃变,它经R 和RL 分两路放电,二极管V 导通,uR 和uo 均为负尖脉冲。在t2 瞬间,ui 由0上升到U,只经过R对电容充电,uR 为一正尖脉冲;这时二极管截止,uo 为0。输出电压uo 的波形如图5-12b所示。

在这里,二极管起检波作用,除去正尖脉冲。

(4)开关电路。利用二极管的单向导电性以接通或断开电路,这在数字电路中得到广泛应用。分析这种电路时,应当掌握一条基本原则,即判断电路中的二极管处于导通状态还是截止状态,可先将二极管断开,然后观察(或计算)阳、阴极之间是正向电压还是反向电压,若是前者则二极管导通,否则截止。

例5-3 在图5-13中,输入端A 的电位VA=+3V,B的电位VB=0V,VD1、VD2 为理想二极管。求输出端Y 的电位VY。电阻R 接负电源-12V。

图5-13 例5-3图

解 因为A 端电位比B 端电位高,所以VD1 优先导通,其导通电阻为0,相当于短路,即开关闭合,则VY=3V。VD1 导通后,VD2 上加的是反向电压,因而截止,其电阻无穷大,相当于开路,即开关断开。

在这里,还可以认为VD1 起钳位作用,将Y 端的电位钳制在3V;VD2 起隔离作用,将输入端B和输出端Y 隔离开来。

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