1.晶体管的识别

晶体管是最常用的基本器件之一，其不仅有电流放大、振荡或开关等作用，更关键的是具有稳定电压的作用。其内部含有两个PN结，发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电结。两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区。排列方式有PNP型和NPN型，其中PNP型晶体管发射区发射的是空穴，其移动方向与电流方向一致，箭头朝内；NPN型晶体管发射区发射的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，箭头朝外。晶体管的内部结构及电路符号如图2-36所示。

晶体管是电路中应用最广泛的器件之一，在电路上用符号“V”或“VT”表示，实际电路中也有用“Q”表示的，图2-37所示为电磁炉上所用晶体管外形。

2.晶体管的检测

（1）晶体管好坏的检测

1）在路不加电检测。将万用表置于R×10或R×1挡，测出晶体管各极的正、反向电阻值。以PNP型锗管为例，若测得发射结正向电阻值在30Ω左右、反向电阻值在数百欧以上，则说明该管发射结正常。再测量集电结正、反向电阻值，如果与测试发射结的结果相近，则说明该管集电结良好，并且可判定管子的性能是良好的。在测试过程中，如果测出的反向电阻值较大或较小，则可能是PN结已开路或击穿损坏。对于此类情况，应将管子从印制电路板上焊下来，按以前有关内容介绍的检测方法对其进行单独复测，以进一步核实该晶体管是否损坏。

图2-36 晶体管的内部结构及电路符号

图2-37 电磁炉上所用晶体管外形

测试NPN型晶体管，其测试方法与PNP型晶体管的方法相似，只是应交换表笔，测得的正反向电阻值略大而已。

2）在路加电检测。处于线性放大状态的晶体管在正常工作时，发射结上应有正向偏置电压（锗管为0.2～0.3V、硅管为0.6～0.8V），集电结上应有反向偏置电压（一般在2V以上），可用万用表适当的直流电压挡进行测量。具体测试方法如图2-38所示，如果测得的电压不在正常范围内，则说明晶体管有问题。另外，当晶体管发生故障时，各电极的对地直流电压也会发生变化，此时可通过测量集电极和发射极对地电压值的大小来判断。(www.daowen.com)

图2-38 在路测量晶体管e、b极间电压

a）测量PNP型管（锗管） b）测量NPN型管（硅管）

晶体管在路放大能力测试：将万用表置于直流电压挡，红表笔接在集电极焊点上，黑表笔接在发射极焊点上，再用电线将基极与发射极（或地）瞬间短路一下，若万用表指针摆动较大，则说明被测晶体管有放大能力（通常指针摆幅越大，晶体管的放大能力就越强）。需指出的是，此方法不宜测试在高电压下工作的晶体管，测前需对晶体管周围的元器件进行了解。

（2）晶体管极性的判定

1）晶体管的类型及基极（b）的检测：将万用表置于R×100挡，红表笔任意接触晶体管的一个电极，黑表笔分别接触另外两个电极，依次测其阻值。若测出阻值为几百欧低电阻，则红表笔接触的电极为基极（b），此管为PNP型管。若测出阻值均为几十到上百、千欧的高电阻，则红表笔接触的电极为基极（b），此管为NPN型管。

2）晶体管发射极（e）和集电极（c）的检测如下：

①PNP型晶体管发射极（e）和集电极（c）的检测：检测时，将万用表置于R×100挡，红表笔接基极（b），黑表笔分别接另外两个引脚，测出两个电阻值。在阻值小的一次测量中，黑表笔所接引脚为集电极（c）。在阻值大的一次测量中，黑表笔所接引脚为发射极（e）。

②NPN型晶体管发射极（e）和集电极（c）的检测：检测时，将万用表置于R×100挡，黑表笔接基极（b），红表笔分别接另外两个引脚，测出两个电阻值。在阻值小的一次测量中，红表笔所接引脚为集电极（c）。在阻值大的一次测量中，红表笔所接引脚为发射极（e）。

维修笔记

晶体管损坏后，应尽可能地选用同型号的管子进行更换。在某些场合下，对管子的要求较严格，必须选用同型号的管子。对于要求不严格的场合，可利用其他型号的管子代换使用。