二极管的伏安特性表示在图52中。

1.正向特性

图52　半导体二极管伏安特性

当外加电压很低时，由于外加电压要克服空间电荷的作用，故此时电流较小，二极管所呈现的正向电阻较大，电流随电压增加而缓慢增加。当外加电压达到一定数值后，内电场已被外电场大大削弱。这时，正向电流随电压增加而上升得很快。但是正向电流不能过大，否则二极管会因发热而很快烧毁。

2.反向特性(www.daowen.com)

反向电流的特点是当反向电压增高时，反向电流基本保持不变，这是由于少数载流子的数目有限所致。当外加电压增加到一定数值后，少数载流子便全部越过PN结，即使再增加电压，但因少数载流子数目不会增多，所以反向电流不再增加，呈现饱和状态，故该电流叫做反向饱和电流。可想而知，反向饱和电流受温度影响很大，因为温度增高，会使少数载流子数目增多。可是当反向电压太高，外电压所形成的电场很强，半导体的共价键被破坏，共价电子被拉出来，此时反向电流激增，二极管被反向击穿而破坏。

二极管的主要参数有：

（1）最大整流电流。它是二极管长期使用时允许通过二极管最大平均电流值。

（2）反向击穿电压。超过该电压值二极管将反向击穿。一般手册中给出的最高反向工作电压是反向击穿电压。