理论教育 优化大容量化参数设计算法

优化大容量化参数设计算法

时间:2023-06-20 理论教育 版权反馈
【摘要】:然而这些研究多集中于低压小短路电流场合,在高压大容量化方面尚未形成系统的结构参数设计方法,也缺乏面向大容量应用的结构参数优化方案。构成直线式PMFCL结构参数设计算法的基本思路是:基于等效磁路法,并依据永磁体、软磁铁心的相关磁参数以及线路条件,导出PMFCL的关键结构参数lm、le、Sm和Se的数学表达式。故铁心饱和时的半波限流器的电感Ls为当系统发生短路时,PMFCL必有一组限流拓扑退出饱和,另一组仍处于饱和状态。

优化大容量化参数设计算法

迄今,国内外学者已对永磁饱和型故障限流器(PMFCL)开展了仿真和实验研究,并研制了不同拓扑结构的永磁饱和型故障限流器样机。然而这些研究多集中于低压小短路电流场合,在高压大容量化方面尚未形成系统的结构参数设计方法,也缺乏面向大容量应用的结构参数优化方案。文献[3,4]提出了一种永磁并联偏置方式的“日”字型磁路结构,文献[5,6]提出了一种永磁串联偏置方式的“口”字型磁路拓扑。文献[7]提出了2个环形铁心夹2片永磁体的新结构,并设计了220 V实验样机。文献[8,9]提出了一种直线式PMFCL拓扑结构(参见图5-20),它包括两对相互配合的铁心和缠绕在铁心上的铜绕组,而在每对铁心的两端各置有一块永磁体,且采用左右两组分别限制正、负半波的短路电流。相比于传统的PMFCL限流拓扑,直线式PMFCL更加简洁经济,便于加工制造;此外,该结构的永磁体与铁心截面积参数保持相对独立,为后续结构参数的优化研究提供了有效的技术途径。文献[9]亦从温度、外磁场两方面分析了钕铁硼永磁体的稳定性问题,论证了其应用到PMFCL的可行性。

针对直线式PMFCL磁拓扑,基于等效磁路法研究了一种直线式PMFCL面向高压大容量化的结构参数设计算法;提出饱和深度比、电感比以及电感和3个重要变量的定义,并推导出描述参数关系的归一化数学表达式;藉此将该PMF-CL结构参数的优化转化为对以上3个变量的优化问题,最后通过基于有限元的场-路耦合仿真对分析结果加以验证。

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图5-19 永磁饱和型故障限流器的拓扑原理图

1,4—绕组 2,5—铁心 3,6—永磁体

按照永磁体与软磁铁心组成的磁路形式,可将永磁饱和型故障限流器的拓扑类型分为串联式和并联式两种。串联式拓扑由两组铁心、永磁体以及交流铜绕组构成,目的是为了在正、负半波均能限制短路电流,如图5-19a所示。并联式拓扑的左右两个分支铁心,分别用来限制短路电流的正、负半波,且共用同一永磁体产生偏置磁场,如图5-19b所示。

无论是串联式还是并联式,交流铜绕组全都绕制在铁心上,其中一个绕组产生的磁动势与永磁体相同,另一绕组则相反。两个绕组串接后与输电线路串联。当系统正常工作时,永磁体产生的很强的直流偏置磁场,可使铁心处于深度饱和状态。此时,额定电流通过绕组产生的交变磁场不足以使铁心脱离饱和区域,该绕组表现为低感抗状态,限流器对系统的影响很小;当系统出现短路故障时,瞬间增大的电流使绕组产生的磁动势足够抵消永磁体的磁动势,限流器的某一组铁心的工作点将从饱和区进入线性区域,使绕组产生很大的感应电动势,对外表现为高阻抗,从而限制了短路电流;若短路电流继续增大到某一值时,交变电流产生的磁动势有可能使铁心进入反向饱和状态,此时限流器则失去限流能力。

由上文原理介绍可知,永磁体对外提供直流偏置磁场的能力,即永磁体偏置能力的强弱,是限流器能否正常工作的关键因素。传统限流拓扑的铁心用量较多,而永磁体占的比重很小,这导致铁心在系统正常工作时难以深度饱和,而短路大电流时又容易反向饱和,造成限流器的工作性能较差。

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图5-20 直线式PMFCL拓扑示意

提出一种直线式PMFCL拓扑,如图5-20所示。该结构包括一对相互配合的铁心,在铁心的两端分别设有一个永磁体,在两铁心上还分别绕有铜线绕组。左右两组分别用来限制正、负半波短路电流。与串联式拓扑相比,新型拓扑省去了为构成磁路而需要的截面积较大的铁心部分,结构更加简洁经济,便于加工制造;与并联式拓扑相比,新型拓扑增加了永磁体在限流器中的比重,有利于改进永磁体的偏置能力。更重要的是,新型拓扑中铁心与永磁体的结构参数可任意调节,有利于改进永磁体的偏置能力,为限流器的高压大容量化提供了有效的技术途径。开展的仿真与实验工作,均基于该种直线式PMFCL拓扑。

构成直线式PMFCL结构参数设计算法的基本思路是:基于等效磁路法,并依据永磁体、软磁铁心的相关磁参数以及线路条件,导出PMFCL的关键结构参数lmleSmSe的数学表达式。

为了便于表述,表5-7给出所用的主要符号及其释义。

表5-7 主要符号的含义

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为简化分析,作如下假设:①磁场在永磁体与铁心内分布均匀,且不考虑漏磁场;②采用三折线型的铁心B-H曲线,如图5-21中曲线I所示,忽略铁心磁滞效应;③各媒质均为各向同性材料,且忽略时变场频率ω的影响。

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图5-21 永磁体与铁心的B-H曲线

以直线式PMFCL中限制正半波短路电流的过程为例,应用安培环路定理可得

Ni-Hclm+RmΦm+Hcle=0 (5-40)

式中,Rm=lm/(μmSm);Hc=Br/μm。因钕铁硼(Nd-Fe-B)材料的计算矫顽力Hc′与其实际矫顽力Hc相差不大,可认为两者近似相等。

由磁通连续性原理可知,通过永磁体的磁通量可用通过铁心的磁通量来表示:

Φm=Φe (5-41)

因PMFCL串联于工频交流系统中,故式(5-40)中的磁场强度He、磁通量Φe以及电流i均为时间t的交变函数,而永磁体的磁动势分量-Hclmt无关。将式(5-41)代入式(5-40)并对t求导,可得

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磁通量Φe与磁场强度He存在如下关系:

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将式(5-43)代入式(5-42),并依据法拉第电磁感应定律,可得限流绕组的感应电压u

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式中,μ为铁心磁导率

由工作原理知,PMFCL的总电感LPMFCL为正、负半波限流拓扑电感之和。正半波的限流电感L+(负半波限流电感L-与L+相同)可由式(5-44)得出

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系统正常工作时,正、负半波限流拓扑均处于饱和状态,即μ=μs。定义Ls为铁心饱和时半波限流器的电感,此时限流器的总电感LPMFCL

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式中,Rs=le/(μsSe)。故铁心饱和时的半波限流器的电感Ls

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当系统发生短路时,PMFCL必有一组限流拓扑退出饱和,另一组仍处于饱和状态。设退出饱和的铁心磁导率为μu(参见图5-23),定义Lu为铁心不饱和时半波限流拓扑的电感,则整个限流器的电感LPMFCL可写为(www.daowen.com)

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式中,Ru=le/(μuSe)。故铁心不饱和时半波限流拓扑的电感为

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μu>>μmRu<<Rm,此时可忽略Ru,则Lu可改写为

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定义λ为PMFCL的电感比变量,即

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式中,Lu>Ls,故λ>0。

将式(5-47)、式(5-50)代入式(5-51),可得铁心与永磁体长度之比(le/lm)与截面积之比(Se/Sm)的关系为

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根据图5-21中的曲线I,当铁心的工作点位于饱和区时,其磁场强度可表示为

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当电流过零时无需考虑绕组影响,PMFCL的磁路可等效为永磁体与铁心组成的永磁磁路。将式(5-53)代入式(5-40),令i=0,忽略Ru,整理可得

Be|i=0-BsSers+Be|i=0Serm=Hc′lm (5-54)

为描述永磁体偏置作用下的铁心饱和程度,定义Ks为饱和深度比变量,则有

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式中,Be|i=0>Bs,故0<Ks<1。

将式(5-55)代入式(5-54),并代入Hc′=Br/μm,得

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整理后得Se/Sm与电感比、饱和深度比两变量的数量关系如下:

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根据PMFCL工作原理,当Φe=Φs=BsSe时,铁心刚好退出正向饱和状态而开始限流,此时的电流为限流器可限制的最小短路电流,以imin表征其峰值,代入式(5-40),并忽略Ru,可得

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Φe=-Φs=-BsSe时,铁心刚好进入反向饱和态,限流器恰好失去限流能力,此时的电流为限流器可限制的最大短路电流,以imax表征其峰值,代入式(5-40),并忽略Ru,可得

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进而得到式(5-59)与式(5-58)的商与差为

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将式(5-57)分别代入式(5-60)、式(5-61),消去Se/Smimin,可得永磁体长度的表达式为

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将式(5-62)代入式(5-60),得永磁体截面积为

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将式(5-63)代入式(5-57),得铁心截面积表达式为

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将式(5-62)代入式(5-52),得铁心长度表达式为

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式(5-62)~式(5-65)构成了优化PMFCL关键结构参数的基本数量关系方程。

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