理论教育 芯片烟气暴露引发细胞氧化应激?——关注6.7芯片研究

芯片烟气暴露引发细胞氧化应激?——关注6.7芯片研究

时间:2023-06-18 理论教育 版权反馈
【摘要】:实验以ROS作为氧化应激指标,以A549细胞作为细胞模型,研究烟气暴露下细胞的氧化应激作用,所用烟气暴露装置及烟气收集方法皆同前所述。烟气暴露下,细胞ROS增加,发生氧化应激反应,诱导细胞死亡。由图可看出,结果与上面相同,烟气暴露后,细胞中ROS明显增加;随着烟气暴露时间增加细胞ROS趋于稳定。由图可看出,在芯片上细胞荧光强度有一定的梯度变化趋势,随着烟气浓度的逐渐增加,细胞中ROS的量逐渐增加。

芯片烟气暴露引发细胞氧化应激?——关注6.7芯片研究

运用建立微流控芯片平台,以细胞ROS为指标研究烟气暴露下细胞的氧化应激作用。

实验以ROS作为氧化应激指标,以A549细胞作为细胞模型,研究烟气暴露下细胞的氧化应激作用,所用烟气暴露装置及烟气收集方法皆同前所述。

如前所述,烟气暴露下细胞毒性检测,随着流速及暴露时间的增加,细胞死亡率增加,并发生细胞凋亡。烟气暴露下,细胞ROS增加,发生氧化应激反应,诱导细胞死亡。为研究烟气暴露之后,细胞中ROS变化,使用ROS荧光探针DHE(二氢乙啶)对细胞进行染色,使用绿光激发得红色荧光,荧光强度的大小与细胞内ROS的量呈正相关,据此判断细胞ROS变化。①研究细胞ROS与烟气流速的关系。两芯片进气口都连接烟气,控制烟气暴露时间20min,分别调节流速为0,4,8,12,20mL/min,实验后染色观察。②研究细胞ROS与暴露时间的关系。两芯片进气口都连接烟气,控制流速4mL/min,分别调节时间为0,20,40,60min,实验后染色观察。③芯片烟气梯度下细胞ROS检测。在一片芯片上,一边连接烟气,另一边连接空气,调节流速为4mL/min、暴露时间为20min,实验后染色观察。

研究卷烟烟气细胞ROS与烟气暴露剂量的关系,两芯片进气口都连接烟气,固定烟气暴露时间20min,以不同的烟气流速暴露于A549细胞即0,4,8,12和20mL/min。细胞烟气暴露之后,使用DHE荧光染料对细胞染色,荧光倒置显微镜下,绿光激发细胞发出红色荧光,荧光强度越强,细胞ROS浓度越大,使用Image J软件对细胞荧光强度进行分析。

如图5.35所示,细胞烟气暴露之后,DHE荧光染色,得图5.35(1),使用软件分析荧光强度较强的细胞所占百分比,统计数据如图5.35(2)所示。由图可看出,细胞本身所含ROS很少,烟气暴露后,细胞中ROS明显增加;随着流速增加细胞ROS趋于稳定。

图5.35 细胞ROS与烟气流速的关系图

研究卷烟烟气细胞ROS与烟气暴露剂量的关系,两芯片进气口都连接烟气,固定烟气流速4mL/min,以不同的暴露时间暴露于A549细胞即0、20、40和60min。细胞烟气暴露之后,使用DHE荧光染料对细胞染色,荧光倒置显微镜下,绿光激发细胞发出红色荧光,荧光强度越强,细胞ROS浓度越大,使用Image J软件对细胞荧光强度进行分析。(www.daowen.com)

如图5.36所示,细胞烟气暴露之后,DHE荧光染色,得图5.36(1),使用软件分析荧光强度较强的细胞所占百分比,统计数据如图5.36(2)所示。由图可看出,结果与上面相同,烟气暴露后,细胞中ROS明显增加;随着烟气暴露时间增加细胞ROS趋于稳定。

图5.36 细胞ROS与暴露时间的关系图

由上面研究流速及暴露时间与细胞ROS的关系,了解到随着烟气流速和暴露时间的不断增加,细胞ROS没有变化;因此为在一片芯片上实现细胞ROS的梯度变化,研究使用流速为4mL/min、暴露时间为20min条件下,进行细胞ROS梯度检测。

如图5.37所示,细胞烟气暴露之后,DHE荧光染色,得图5.37(1),使用软件分析荧光强度较强的细胞所占百分比,统计数据如图5.37(2)所示。控制条件为20min和4mL/min,两个进气口,一边通烟气、一边通空气,对芯片上细胞进行烟气暴露,染色观察。由图可看出,在芯片上细胞荧光强度有一定的梯度变化趋势,随着烟气浓度的逐渐增加,细胞中ROS的量逐渐增加。在正常细胞中,ROS量很少,如图中5.37(1)所示,按实验统计方法,在大量的细胞中荧光强度较强的细胞所占百分比小于7%;在33%烟气刺激下,这个数量增加到12%,直至100%烟气下的36%。将其与上章节在流速为4mL/min、暴露时间为20min条件下,细胞存活率保持在95%相比较。虽然烟气暴露下细胞没有死亡,但是ROS已经明显的增加。说明细胞死亡是一个过程,细胞已经开始发生损伤,证实ROS在细胞凋亡中起着一定作用。

图5.37 烟气暴露下细胞ROS梯度变化

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