在康佳LC47DT08AC的主板中，N802（AOZ1017）是一种DC-DC通用直流电压变换器，主要用于将5VSB电压变换成1.0V直流电压，其电路原理图如图4-33所示。

其中，由N802⑦、⑧脚输出的1.0V电压，通过L821作为“HP_VCC_10”为N401（HiDTV-Pro-MX/QX）的部分引脚供电。了解知识

结型场效应晶体管

结型场效应晶体管（Junction Field Effect Transistor，JFET），是利用不同材料（如N型材料或P型材料）为衬底制作的单极型晶体管，其结构示意图如图4-34所示。

在图4-34中，在一块N型材料两端做上欧姆接触，并分别称为源（Sonurce，简写为S）和漏（Drain，简写为D），且在两侧各做上一个PN结，再联在一起称为栅（Gate，简写为G）。当漏源间加上正电压V_D，电子将从源极流向漏极，形成漏极电流I_D。如果同时在栅极上加相对于源极为负的电压，则PN结处于反偏，但由于P型栅极中的掺杂浓度大于N型沟道中的掺杂浓度，伸入到沟道中的耗尽区将使沟道变窄。因此，FET是一个压控电阻器，改变栅极上负压大小，就可以改变耗尽区伸入到沟道中的程度，从而改变沟道的电阻。当栅偏压足够负时，将使上下两边耗尽区在沟道中间平面完全闭合，从而使I_D完全截止。

图4-34 N沟道结型场效应晶体管结构示意图

场效应晶体管的漏极电流是由单一极性的载流子构成，在N沟道中为电子，在P沟道中为空穴。因此，场效应晶体管又常被称为单极型晶体管。其中使用N型材料为衬底的管子称为N沟道场效应晶体管，使用P型材料为衬底的管子称为P沟道场效应晶体管。但要注意，两者供电极性相反。其常用符号如图4-35和图4-36所示。

图4-35 N沟道FET符号

图4-36 P沟道FET符号

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肖特基场效应晶体管

肖特基场效应晶体管（MESFET）是一种用金属与半导体间的接触势垒来代替JFET中的PN结势垒而制成的功率器件，其结构示意图如图4-37所示。其工作原理与JFET相似。但MESFET的突出特点是整个晶体管的固有结构中不含有PN结和绝缘层，因此，它可以用电子迁移率很高的半导体材料制成工作频率很高的器件。如采用GaAs肖特基势垒场效应晶体管。其主要优点如下：(www.daowen.com)

1）X射线波段可以工作到几十千兆赫；

2）在3～4级放大器中，其增益可达到几十分贝，且单管输出功率可达5W，并联工作时可达几十瓦；

图4-37 肖特基场效应晶体管结构示意图

3）体积小，重量轻，噪声低，且二次和三次畸变小；

4）由于GaAs中电子迁移率比硅中大5倍，峰值漂移速度大一倍，故可成为微波领域里的热门器件。

因此，肖特基场效应晶体管广泛应用于通信、雷达的低噪声放大器中以及收音机等音响设备中。了解知识

绝缘栅场效应晶体管

绝缘栅场效应晶体管（MOSFET）是一种由栅极上的外加电压透过一层绝缘体对沟道电流进行控制的功率器件，其结构示意图如图4-38所示。

在图4-38中，栅与沟道之间是绝缘的，其衬底为P型硅，在其表面先氧化形成一层SiO₂，并先刻出源与漏窗口，再通过窗口扩散形成两个高掺杂的N^＋区，最后在源、漏之间的氧化膜上蒸上一层金属铝（Al）电极，作为栅极，即形成N沟道MOSFET。

在图4-38中，当栅极未加电压时，源极与漏极之间为两个反向相接的PN结，可阻止任何一个方向的电流流过。当栅极上加正电压时，在半导体-氧化物界面下边的半导体中感应产生可动负电荷，为源、漏之间提供一个导电沟道，该沟道的导电能力（电导）随栅压U_G的增加而增加，从而可得到如JFET的电流-电压特性。

图4-38 N沟道MOSFET结构示意图

在图4-38中，栅极与沟道之间一般为100～200nm厚的SiO₂（二氧化硅）膜，若取中间值150nm，其击穿电压为75～150V，但它的电容量仅有几个微法，而它的绝缘电阻非常高，可高达10¹⁴Ω以上，这就使MOSFET栅具备了只要储存了少量电荷就能产生较高电压的特性。而人体或塑料制品常会带有一定的电荷，各种仪器也会有少量漏电荷，这些电荷一旦跑到MOSFET的栅极上，就会产生很高电压，使管子莫名其妙地被击穿损坏。因此，在检测或更换MOSFET时一定要防止静电击穿现象。