86.半导体分立器件选择时应注意其失效模式的影响，其失效模式主要有开路、短路、参数漂移和退化。

87.半导体分立器件选用时应考虑负载的影响，对电感性负载应采取吸收反电动势措施；对电容性负载，低冷电阻负载应考虑限制通过器件的峰值电流。

88.高温是对晶体管破坏性最强的因素，故必须对晶体管的功耗和结温进行降额使用；电压击穿是导致晶体管失效的另一主要因素，故其工作电压也需降额；功率晶体管有二次击穿现象，因此其安全工作区也需进行降额。

89.功率晶体管在遭受由于多次开关过程所致的温度变化冲击后会产生“热疲劳”失效。使用时应根据功率晶体管的相关详细规范要求限制壳温的最大变化值。

90.功率晶体管应降低饱和电压降。

91.晶体管其预计的瞬间电压峰值和工作电压峰值之和不得超过降额电压的限定值。

92.对推挽级晶体管，应考虑采取抑制两管同时导通的措施。一般可采取使晶体管基极-发射极反偏的设计。

93.在满足电路性能要求的条件下，尽量选用硅管而不用锗管。因为硅管结温（150～175℃）比锗管结温（75～90℃）高；硅管的BV_CBO较锗管BV_CBO高。所以在高温高压工作时应选用硅管而不选用锗管。(www.daowen.com)

94.在微弱信号放大电路中，应选用低噪声放大管，应注意晶体管手册所给出的噪声系数是按其额定频率测定的，不能盲目套用。

95.穿透电流小的晶体管往往噪声小，应优先选用。

96.当用晶体管驱动电磁继电器时，为防止在过渡过程中继电器线圈产生的自感电动势击穿晶体管，应在继电器的绕组上并联吸收元器件。吸收元器件除用二极管、电容器、电阻器外，还可用压敏电阻器。

97.晶体管用在强干扰条件下，为防止它因强烈输入干扰而损坏，应在其输入端加装限幅器。

98.尽量不用点接触型二极管。

99.选用国产整流二极管时应注明其后缀，其后缀英文字母表示反向工作电压。

100.晶闸管选择时其结温不应超过规定要求，否则漏电流增大，会使结温升高，进而器件失效。